政府計畫（GRB），建議「依年度遞減排序」，以查看最新的研究方向。
| 畢業學年度 | 論文標題 | 連結 | 學位 | 畢業時長(years) |
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| 關鍵字 | ||||
| 113 | 基於先驗幾... 基於先驗幾何與殘差優化的自適應神經輻射場架構開發 (Development of Adaptive Neural Radiance Fields Architecture Based on Prior Geometry and Residual Optimization) | NTHU | 碩 | 暫無口試日期 |
神經輻射場(Neural Radiance Fields)、三維場景重建(3D Scene Reconstruction)、運動回復結構(Structure-from-Motion)、稀疏點雲(Sparse Point Cloud) 神經輻射場... | ||||
| 113 | 基於化學氣... 基於化學氣相沉積法合成可控載子多層二硫化鉬應用於增強型場效電晶體之研究 (Tailoring the Charge Carrier in Multilayer CVD-MoS2 towards E-mode Transistor Applications) | NTHU | 碩 | 暫無口試日期 |
二硫化鉬(Molybdenum Disulfide)、硫空缺(Sulfur Vacancy)、化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition)、臨界電壓(Threshold Voltage)、增強式(Enhancement Mode)、場效電晶體(Field-Effect Transistor) 二硫化鉬(... | ||||
| 113 | 基於複雜氧... 基於複雜氧化物開發之高速多位元阻式記憶體應用於記憶體內計算技術 (Development of High-Speed & Multi-bit RRAM cells Enabled by Complex Oxides towards Compute-in-Memory Technology) | NTHU | 碩 | 暫無口試日期 |
阻式記憶體(Resistive Random Access Memory)、記憶體內計算(In-memory computing)、複雜氧化物(Complex Oxides)、多位元(Multi-Bit)、單極性阻式記憶體(Unipolar RRAM) 阻式記憶體... | ||||
| 113 | 以雙閘極結... 以雙閘極結構實現高效能增強型二硫化鉬電晶體及其應用 (High-Performance Enhancement-Mode Molybdenum Disulfide Transistor Enable by Dual-Gate Structure and Its Applications) | NTHU | 碩 | 暫無口試日期 |
二硫化鉬(Molybdenum Disulfide)、雙閘極(Dual-Gated)、電晶體(Transistor)、增強型(Enhancement-Mode)、高效能(High-Performance)、二維材料(2D-material) 二硫化鉬(... | ||||
| 113 | 基於二維電... 基於二維電子元件之單晶片式三維異質積體電路 (Monolithic 3D Hetero-Integrated Circuits with 2D Electronics) | NTHU | 碩 | 暫無口試日期 |
單晶片式三維集成(Monolithic 3D Integration)、二維電子元件(2D electronics)、異質整合(Hetero-Integration)、二硫化鉬(molybdenum disulfide) 單晶片式三... | ||||
| 113 | 創新可兼容... 創新可兼容半導體載子摻雜技術用於高性能p型二硒化鎢電晶體 (Revolutionary CMOS-Compatible doping technology towards high-performance WSe2 p-FETs) | NTHU | 碩 | 暫無口試日期 |
二硒化鎢(WSe2)、二硒化釩(VSe2)、過渡金屬二硫化物(Transition Metal Dichalcogenide)、脈衝雷射沉積(Pulse Laser Deposition)、固體摻雜(Solid-state doping) 二硒化鎢(... | ||||
| 112 | 基於頂閘極... 基於頂閘極二維材料電晶體物理建模驗證應用於電流電壓之特性分析 (Physics-Based Modeling and Validation of Top-Gated 2D FETs for Analytical Current-Voltage Characteristics) | NTHU NDLTD | 碩 | 1.98 |
二維材料(2D materials)、物理模型(physical model)、二硫化鉬(Molybdenum disulfide)、帕松方程(Poisson equation)、飄移擴散方程(drift diffusion equation) 二維材料(... |