氮化銦鎵(InGaN)、紅光發光二極體(Red-based LED)、陣列式光上轉換器(optical array Up-Converter device)、磷化銦(InP)、砷化銦鎵(InGaAs)、外部量子效率(external quantum efficiency)

微型面射型雷射顯示器(Micro-VCSEL Displays)、磷化鋁鎵銦(AlGaInP)

光上轉換顯示器(Up-Converter)、氮化銦鎵(InGaN)、多重量子井(Multiple Quantum Well)、微發光二極體(Micro LED)、光電二極體(Photodiode)

氮化鎵(GaN)、碳化矽基板(HEMT)、高電子遷移率電晶體(SiC)

氮化鎵(GaN)、高電子遷移率電晶體(HEMT)、碳化矽基板(SiC)

砷化鎵(GaAs)、單石積體化(monolithically integration)、疊接式電晶體(cascode)、功率元件(power device)、雙脈衝切換量測(double pulse test measurement)、達靈頓(Darlington)

單石積體化(Monolithic Integrated Device)、疊接式元件(Cascode Device)、功率切換元件(Power Switching Device)、源級場板(Source Field Plate)、氮化鎵(GaN)、p型氮化鎵(p-GaN)、大電流指叉式元件(High Current Multi-Finger Cascode)、高電子遷移率電晶體(HEMT)

T型閘極(T-gate)、碳化矽基板(SiC substrate)、射頻(Radio Frequency)、高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistors)

氮化鎵(GaN)、功率元件(power device)、射頻元件(RF device)、高電子遷移率電晶體(High electron mobility transistor)

氮化鎵(GaN)、微型發光二極體(Micro-Light Emitting Diode)、微型顯示器(Micro display)、插座效率(Wall-plug efficiency)、外部量子效率(External Quantum Efficiency)、輝度值(Luminance)、多重量子井(Multiple Quantum Well)、輻射複合(Radiative Recombination)

近紅外光(near infrared)、寬波段(broadband)、磷化銦(InP)、多重量子井(multiple quantum well)、微型發光二極體(micro LED)、陣列(array)、鋅擴散(mesa-type)、銦(Zn diffusion)

氮化銦鎵(InGaN)、光偵測器(Photodetector)、發光二極體(Light-Emitting-Diode)、光轉換器(Optical-Converter)

單石積體化(monolithically integration)、氮化鎵(GaN)、疊接式電晶體(cascode HEMT)、功率元件(power device)、功率切換元件(power switching device)、雙脈衝切換量測(double pulse test measurement)

氮化鎵(GaN)、高電子遷移率電晶體(HEMT)

氮化鋁鎵(AlGaN)、深紫外光(DUV)、微型發光二極體(Micro-LED)、覆晶接合(Flip-Chip Bonding)、光轉換器(Up-converter)

磷化鋁鎵銦(AlGaInP)、微型發光二極體(Micro-LED)、覆晶接合(flip chip bonding)、高解析度(high resolution)

微型發光二極體(Micro-light emitting diode)、外部量子效率(External quantum efficiency)、氮化鎵(GaN)、覆晶接合(Flip-chip bonding)、微型顯示器(Micro-displays)

氮化鋁鎵(AlGaN)、深紫外光(Ultra Volet)、微二極體(Micro LED)、顯示器(Display)、歐姆接觸(ohmic contact)

雪崩式(avalanche)、近紅外光(SWIR)、光偵測器二極體(photo diode)、砷化銦鎵(InGaAs)、準平面式(quasi-planar type)

氮化鎵(Gallium Nitride)、p型氮化鎵(p-type Gallium Nitride)、高電子遷移率電晶體(high electron mobility transister)、指叉狀結構(multi-finger structure)、場版(field plate)、功率元件(power device)

氮化鎵(GaN)、微型顯示器(Micro-LED)、紫光(display)、紫外光(violet light)

高功率半導體元件(AlGaN/GaN-HEMTs)、積體化疊接式氮化鎵電晶體(All-GaN-integrated-Cascode)、功率切換應用(Power-switching)

砷化鎵(Gallium arsenide)、達靈頓(Darlington)、積體化(Integration)、疊接(Cascode)、異質雙極性接面電晶體(Heterojunction Bipolar Transistors)、高速電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistor)

磷化鋁鎵銦(AlGaInP)、微型發光二極體(Micro-LED)、微型顯示器(Micro-display)、覆晶接合(Flip-chip bonding)、高解析度(High PPI)

光上轉換顯示器元件(Up-converter)、微型發光二極體(Micro Light-Emitting Diode)、微型光偵測器(Micro Photodetector)

氮化鋁鎵/氮化鎵(AlGaN/GaN)、高電子遷移率電晶體(HEMT)、鰭式高電子遷移率電晶體(Fin-HEMT)、射頻高電子遷移率電晶體(RF-HEMT)

微型發光二極體(Micro-LEDs)、氮化鎵(GaN)、覆晶封裝(Flip-chip bonding)

晶粒邊界控制技術(location-controlled-grain technique)、混合式雷射輔助金屬矽化(hybrid laser-assisted salicidation)、積層型三維積體電路(Monolithic Three-Dimensional Integrated Circuits)、閘極全環場效電晶體(Gate-All-Around FET)、雷射活化(laser annealing)、雷射結晶(laser crystallization)

氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體(AlGaN/GaN HEMT)、P型氮化鎵(p-GaN)、米勒效應(miller effect)、全氮化鎵疊接型結構(all-GaN cascode structure)、電容量測(C-V measurement)、雙脈衝量測(double pulse tester)

高電 子遷移率電晶體(HEMTs)、鰭狀奈米通道(RF-Fin-HEMTs)

紫外光(Micro LED)、微型發光二極體(UVA)、高解析(370nm)

光上轉換器(Upconversion)、光偵測器(Photodector)、光電二極體(Photodiode)、近紅外光(NIR)、顯示器(DisplayDevice)

紅光微型發光二極體(Micro-LED)、覆晶接合(Flip-chip)、微型顯示器(bonding)、磷化鋁鎵銦(AlInGaP)、砷化鎵基板(ITO)、反應離子蝕刻系統(Display)、銦氧化錫(GaAs)

高電子遷移率電晶體(AlGaN/GaN)、鰭狀結構(HEMTs)、漏電流(leakage)、氮化鋁鎵/氮化鎵(Fin structure)、射頻元件(Radio frequency)、大訊號(large signal)

氮化鎵(Gallium Nitride)、p型氮化鎵(p-type Gallium Nitride)、高電子遷移率電晶體(high electron mobility transister)、指叉狀結構(multi-finger structure)、場版(field plate)、功率元件(power device)

積體化(BiHEMT)、疊接電路(cascode)

氮基化合物(nitride-based precursor)、二氧化矽(annealing)

軟性(flexible)、氮化鎵(GaN)、高載子遷移率電晶體(HEMTs)

微型發光二極體(Micro-LED)、磷化鋁鎵銦(AlGaInP)、砷化鎵基板(GaAs)、微型顯示器(Display)

覆晶封裝(Flip-chip bonding)、紫外光二極體(UV LED)、微型發光二極體(Micro LED)、無光罩微影(Maskless photolithography)、微型發光二極體顯示器(Micro LED display)、氮化鎵(GaN)、陣列(Array)

光上轉換(Optical upconversion)、近紅外光(SWIR)、光偵測器(PD)、發光二極體(LED)、覆晶封裝(Flip-chip bonding)

微型發光二極體(Micro-LEDs)、氮化鎵(GaN)、覆晶封裝(Flip-chip bonding)

光電晶體(phototransistor)、砷化鎵(GaAs)、異質接面雙極性電晶體(HBT)、光升頻元件(Optical upconversion)、覆晶封裝(Flip-chip bonding)

高電子遷移率電晶體(HEMT)、氮化鎵(GaN)、碳化矽基板(SiC substrate)、磊晶角度(epitaxy orientation)、鰭式電晶體(Fin-HEMT)

氮化鎵高電子遷移率電晶體(HEMT)、P型氮化鎵(P-GaN)、氮化鎵(GaN)、功率元件(high current power device)、大電流功率元件(undefined)

雪崩光二極體(Avalanche Photodiode)、低崩壓(Low Breakdown)、高均勻性(High Uniformity Characteristics)、陣列(Array)

短波紅外光(SWIR)、磷化銦(InP)、升頻上轉換(Upconversion)、覆晶鍵合(Flip-chip bonding)、光電二極體(Photodiode)、發光二極體(LED)

氮化鎵(GaN)、發光二極體(Light emitting diode)、電致發光(Electroluminescence)

原子層沉積系統(ALD)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)、氮化鎵(GaN)、發光二極體(LED)

鰭式結構(Fin-structure)、T型閘極(T-gate)、高電子遷移率電晶體(HEMT)、高頻元件(RF-device)、功率放大器(Power-Amplifier)

高頻(high-speed)、光通訊(VLC)、發光二極體(LED)、磊晶(epitaxy)、量子點(quantum-dot)

微型發光二極體(Micro-LED)、氮化鎵(GaN)、光通訊(Optical-communication)、微顯示器(Micro-display)

微型發光二極體(micro-LED)、顯示器(Display)、氮化鎵(GaN)、紫外光(ultraviolet)、陣列(array)

微型發光二極體陣列(micro-LED array)、氮化鎵(GaN)、自行對準(self-aligned)、微型顯示器(flip chip)、高解析度(micro display)

磷化鋁鎵銦(AlGaInP)、微型發光二極體(Micro-LED)、覆晶接合(Flip-chip)、微型顯示器(bonding)

升頻轉換器(up-converter)、紅外光(photodetector)、可見光(light-emitting diode)、光轉電(InGaAs)

增加型(Enhancement mode)、常閉型(normally-off)、高電子遷移率電晶體(HEMT)、氮化鎵(GaN)、金氧半閘極(MIS gate)、P型氮化鎵(P-GaN)

氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體(AlGaN/GaN HEMT)、場板(Field plate (FP))、可靠性(Reliability)、電流崩潰(Current collapse)、崩潰電壓(Breakdown voltage)

氮化鋁鎵/氮化鎵(AlGaN/GaN)、大電流(High current)、高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistors)、多根指叉型結構(Multi finger)、空乏型(Depletion mode)、增強型(Enhancement mode)

砷化鎵(GaAs)、變晶式高電子移動率電晶體(MHEMT)、砷化銦鎵/砷化銦鋁(InGaAs/InAlAs)、高電子移動率電晶體(high electron mobility transistor)、電子束微影(Ebeam)、低噪聲放大器(low-noise amplifier)

紅外光寬波段(near infrared)、高解析紅外光顯示器(broadband)、單顆紅外光二極體(NIR display)、擴散(micro LED)

電阻式記憶體(ReRAM)、溫度(RRAM)、電極(Forming)、可靠度(Temperature)

二硫化鉬(MoS2)、光電晶體(phototransistor)、持續光電導效應(PPC)、光響應(responsivity)、響應速度(recovery time)

披覆層(Passivation)、氮氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)、二氧化矽(SiNO)

雪崩型光偵測器陣列(SAGCM)、低崩壓(Planar-type)、高增益(Guard ring)、平面型(APD array)、SAGCM(undefined)

氮化鎵(GaN)、功率元件(Power Device)、射頻元件(RF Device)

鍺擴散(germanium diffusion)、漏電流(leakage current)、雷射二極體(laser diode)

磷化鋁鎵銦(AlInGaP)、微型化發光二極體(Micro)、陣列(Array)

黑體輻射(blackbody radiation)、矽燈絲(silicon filament)、紅外光光譜學(infrared spectoscopy)、壽命(lifetime)、熱電堆感應器(thermopile sensor)

濾波器陣列(Filter array)、光檢測器陣列(photo detector array)、讀出晶片(readout IC)、微型光譜儀(Miniature spectrometer)

常閉型(Normally-off)、氮化鎵(Gallium Nitride)、HEMT(HEMT)

紫外光(Micro-LED)、微型發光二極體陣列(ultraviolet)、鋁反射層(aluminum reflection layer)、自我對準(self-aligned)

高速(High-speed)、載子生命時間(carrier lifetime)、時間單光子計數系統(TRPL)、倒置封裝發光二極體(Flip-chip)、微型發光二極體(micro LED array (mLEDA))、ABC model(ABC model)

氮化鋁鎵/氮化鎵(AlGaN/GaN)、鰭狀閘極(Fin Gate)、高載子遷移率電晶體(High-Elctron-Mobility-Transistor)

光電解水(Photoelectrochemical water splitting)、快速熱退火(Rapid thermal annealing)、Ti/Ni雙層結構(Ti/Ni double layer)

單層(Monolayer)、二硫化鉬(MoS2)、接觸電阻(Contact resistance)、載子遷移率(Mobility)、短通道(Short channel)

氮化鎵(GaN)、射頻功率(radio-freauency)、高介電常數(high-k)、高電子遷移率電晶體(HEMT)

氮化鋁鎵/氮化鎵(AlGaN/GaN)、大電流(High current)、高電子遷移率氮化鎵電晶體(High Electorn Mobility Transistor)、鈍化層(passivation)、多根指叉型結構(Multi finger)

升頻(up-converter)、降頻(down-converter)、光檢測器(photodetector)、發光二極體(LED)、砷化銦鎵(InGaAs)

微型發光二極體陣列(Micro-LED array)、氮化鎵(GaN)

近紅外光(near infrared)、寬波段(broadband)、磷化銦(InP)、磷砷銦鎵(GaInAsP)、雙異質接面結構(heterostructure)、多重量子井(multiple quantum well)、微型陣列(microarray)、發光二極體(LED)、銦凸點(Indium bump)、回流(reflow)

氮化鎵(GaN)、紫外光檢測器(UV Photodiodes)、高速元件(HEMTs)、鈍化(Passivation)、抗反射層(anti reflection)、液態的高分子材料(SOG)

磷化銦(InP)、發光二極體(LED)、寬波段(Broadband)、近紅外光(NIR)

砷化鎵(GaAs)、微型化發光二極體(micro-LED array)、單獨尋址(individually addressable)、微顯示(micro display)

平面型結構(planar-type)、短波紅外光(SWIR)、陣列型光感測器(photodiode array)、快速熱擴散技術(rapid thermal diffusion)、磷化銦(InP)

覆晶封裝(Flip chip bonding)、微型發光二極體陣列(Micro LED array)

磷化銦(InP)、發光二極體(LED)、寬波段(broadband)、近紅外光(NIR)、微型發光二極體(micro LED array)

微型化發光二極體陣列(micro-LED array)、氮化鎵(GaN)、高解析度(high resolution)、覆晶技術(flip chip)、微型顯示器(micro display)、自動對準技術(self-aligned)

微型光譜儀(Miniature spectrometer)、濾波器陣列(Filter array)、光譜重建(Spectrum reconstruction)、數學運算(Mathematical operation)

鎢微燈絲(tungsten micro-filament)、黑體輻射(Black body radiation)、矽微燈絲(silicon micro-filament)

電解水(Water Splitting)、鎳薄膜(Ni film)、快速熱退火(Rapid Thermal Annealing)

氮化鎵(Gallium nitride)、功率元件(Power device)、邊緣終結效應(Edge termination)、p-i-n 二極體(p-i-n diode)

二硫化鉬(MoS2)、光偵測電晶體(phototransistor)、閘極脈衝偏壓(gate voltage pulse)、單層(monolayer)、響應度(responsivity)、響應速度(response time)

氮化鋁鎵/氮化鎵(AlGaN/GaN)、異質接面(Heterojunction)、高電子遷移率電晶體(High electron mobility transistor (HEMT))、高崩潰電壓(High breakdown voltage)、離子佈植(Ion implantation)、鈍化層(Passivation layer)、蕭特基閘極(Schottky gate)、金屬-絕緣層-半導體閘極(Metal-insulator-semiconductor (MIS) gate)、矽基板(Silicon substrate)、碳化矽基板(Silicon carbide substrate)、閘極漏電流(Gate leakage)

低熱預算技術(low thermal budget technology)、綠光奈秒雷射結晶(green nanosecond laser crystallization)、遠紅外光雷射退火(far infrared ray laser anneal)、雷射輔助製作自我對準矽化物(laser-assisted salicide)、可三維堆疊電晶體(3D stackable FETs)

微型光譜儀(miniature spectrometer)、光譜重建(spectra reconstruction)、回歸法(regularization)

覆晶封裝(Flip Chip Bonding)、微型發光二極體(Micro LED)

蕭特基二極體(Schottky barrier diode)、高崩潰電壓(High breakdown voltage)、BFOM(Baliga’s figure-of-merit)、場板設計(Field plate)、氮化鋁鎵/氮化鎵(AlGaN/GaN)、水平型蕭特基二極體(Lateral SBD)

近紅外光(Near-Infrared Light)、微燈絲(Filament)、光譜儀(Spectrometer)、壽命(Lifetime)、開閉速度(Reaction rate)

氮化鎵(GaN)、發光二極體(LED)、鈍化層(passivation)、不對稱結構(MSM PD)、三氧化二鋁(asymmetric structure)、二氧化矽(Al2O3)、氮化矽(SiO2)、表面漏電流(SiN)

微型化發光二極體陣列(micro LED array)、可單獨尋址,主動式(matrix addressable)、氮化鎵(Gallium Nitride)

氮化鎵(GaN)、p-i-n二極體(p-i-n diode)、準垂直式結構(quasi-vertical structure)、邊緣終結(edge termination)、巴利加值(Baliga’s figure of merit (BFOM))

發光二極體(Light-emitting diode (LED),)、空氣洞(air-hole)、圖案化藍寶石基板(patterned sapphire substrate (PSS))、氮化鋁銦鎵插入層(Al(In)GaN interlayer)、多重量子井(multi-quantum-well (MQW))

非晶態氧化鋁錫鋅電阻式記憶體

非揮發性記憶體(non-volatile memory)、能帶工程記憶體(barrier-engineered dielectric)、超薄類磊晶矽薄膜(ultra-thin epi-like Si)、高介電常數材料(MONOS)

磷化銦(InP)、近紅外(NIR)、寬波段(Broadband)、發光二極體(LED)

氮化鎵(GaN)、微型發光二極體陣列(micro-LED array)、覆晶技術(Flip-chip bonding)

發光二極體(LED)、原子層級沉積系統(ALD)、陣列(Array)、氧化鋅鎵(Ga-doped ZnO)、透明導電膜(Transparent Conductive Oxide)、紫外光(Ultraviolet)

光子晶體(Photonic crystals)、微機電(MEMS)、光譜(Spectrum)、近紅外光(Near-Infrared Light)

微型發光二極體陣列(Micro-light-emitting diodes array)、氮化鎵(GaN)、微透鏡陣列(Micro-lens array)

法布立-培若濾波器(Fabry-Pérot filter)、光微機電系統(micro-opto-electro-mechanical system)、可調變式(tunable)、大耦合孔徑(large aperture size)、氧化鋅犧牲層(zinc oxide sacrificial layer)

雷射二極體(Laser Diode)、雷射封裝(Laser Packaging)、半導體接面溫度(Junction Temperature)、熱傳導(Heat Conduction)

氮化鎵(GaN)、功率二極體(Power Diode)、藍寶石基板(Sapphire Substrate)

法布立－培若濾波器(Fabry-Pérot Filter)、微機電(MEMS)、近紅外光(NIR)

近紅外光(near-infared)、光子晶體(photonic crystal)、懸浮製程(suspension)、鎢絲(tungsten)

可三維堆疊電晶體(3D stackable FETs)、超薄通道電晶體(UTB FETs)、嵌入式源/汲極(embedded source/drain)、可調式臨界電壓(Vth tunable)

鍺擴散

發光二極體、砷化鎵、特徵接觸電阻、頻率響應、少數載子生命期

鋅擴散

原子層沉積(atomic layer deposition (ALD))、氧化鋅鎵透明導電薄膜(gallium-doped ZnO (GZO))、紫光發光二極體(Violet LEDs)

Tin Disulfide、Chemical Bath Deposition

CZTS.濺鍍機(Sputter).RTP(快速熱退火).硫化物

感應器(sensor)

氮化鎵、側壁保護層、磊晶缺陷

太陽能電池

太陽能電池

電阻式記憶體(CBRAM)、銅導電橋式記憶體(RRAM)、非揮發性記憶體(undefined)

奈米微球、圖形化藍寶石基板、氮化鎵、缺陷密度