鍺奈米片(Germanium Nanosheets)、超晶格(Superlattice)、氧化鉿/氧化鋯(HfO2/ZrO2)、環繞式閘極(Gate-All-Around)、高介電常數(High Dielectric Constant)、場效電晶體(Field-Effect Transistors)

超晶格氧化鉿鋯(superlattice HZO)、環繞式閘極電晶體(GAAFET)、反相器(CMOS inverter)、矽鍺/矽超晶格(SiGe/Si superlattice)

互補式場效電晶體(Complementary Field Effect Transistors(CFET))、半導體電腦輔助模擬工具(Technology Computer Aided Design (TCAD))、電性分析(Electrical analysis)、邏輯電路分析(Logic circuit analysis)

綠光雷射結晶(green laser crystallization)、複晶矽鰭式電晶體(poly-Si FinFET)、複晶矽鐵電記憶體(poly-Si ferroelectric memory)、超晶格氧化鉿鋯(superlattice HfO2-ZrO2)

矽鍺(SiGe)、多位元(Multi-bit)、環繞式閘極(GAAFET)、鐵電記憶體(FeFET)、超晶格氧化鉿鋯(SL-HZO)

矽奈米片(Silicon Nanosheets)、高介電常數(High Dielectric Constant)、超晶格(Superlattice)、變比例氧化鉿鋯(Hf1-xZrxO2)、環繞式閘極場效電晶體(Gate-All-Around Field-Effect Transistors)

無接面式電晶體(Junctionless field-effect transistor (JLFET))、高遷移率通道材料(high mobility channel material)、鰭式場效電晶體(Fin field-effect transistor (FinFET))、環繞式閘極場效電晶體(Gate-all-around field-effect transistor (GAAFET))、氧化鉿鋯(Hafnium zirconium oxide (HfZrO))、鐵電負電容(Ferroelectric Negative capacitance)、次臨界擺幅(Subthreshold swing (SS))、互補式場效電晶體(Complementary field-effect transistor (CFET))、臨界電壓調變(threshold voltage adjustment)

鰭式場效電晶體(fin field-effect transistor (FinFET))、鐵電電晶體(ferroelectric field-effect transistor (FeFET))、鐵電記憶體(ferroelectric memory)、氧化鉿鋯(hafnium zirconium oxide)、多層單元(multi-level cell)、超晶格(superlattice)、次臨界擺幅(subthreshold swing (SS))、負電容(negative capacitance)

環繞式閘極(Superlattice HZO)、多晶矽(JunctionlessFET)、無接面式電晶體(Poly-Si)、奈米片通道(GAAFET)、超晶格氧化鉿鋯(FeFET)、鐵電電晶體(CMOS Inverter)、CMOS反相器(undefined)

鐵電記憶體(FeFET)、非揮發式記憶體(Non-volitile memory)、鰭式電晶體(FinFET)、超晶格氧化鉿鋯(SL HZO)、氧氮化鋁(AlON)

電晶體(Transistors)、互補式場效電晶體(Complementary Field-Effect-Transistors)、鍺奈米線(Germanium Nanowire)、鍺(Germanium)

後段製程(BEOL)、綠光奈秒雷射結晶(laser crystallization)、複晶矽(Poly-Si)、薄膜電晶體(Thin-film-transistor)、鐵電非揮發性記憶體(Nonvolatile Memory)、多層堆疊氧化鉿氧化鋯鐵電層(laminated HfO2/ZrO2)

超晶格(super-lattice)、應力(strain)、矽鍺(SiGe)、鰭式場效電晶體(FinFET)、反相器(inverter)

氧化鉿鋯(HZO)、鐵電特性(Ferroelectric)、應力矽(Strain)、高遷移率通道(StrainSi)、矽與矽鍺堆疊通道(Si/SiGe)、低功耗元件(OmegaFET)

互補式場效應電晶體(complementary field-effect transistor (CFET))、自我對準(self-aligned)、垂直堆疊(vertically stacked)、金屬功函數調變(metal workfunction modulation)

鐵電(Ferroelectric)、鰭式場效電晶體(FinFET)、氧化鉿鋯(HfZrO2)、負電容(Negative capacitance)、非揮發性記憶體(non-volatile memory)

鰭式電晶體(FinFET)、矽鍺(SiGe)、氨電漿(NH3 plasma)、摻雜(doping)、二氧化鉿(HfO2)、鐵電(Ferroelectric)

鐵電(Ferroelectric)、氧化鉿鋯(HfZrO2)、鰭式電晶體(FinFET)、非揮發性記憶體(Non-volatile Memory)

鍺(Germanium)、二氧化鉿(HfO2)、堆疊奈米線(Stacked-nanowire)、環繞式閘極(Gate-all-around)、鐵電(Ferroelectric)、電晶體(Field-Effect-Transistor)

電阻式記憶體(RRAM)、奈米點(Nanocrystal)、類神經應用(Neuron application)、鰭式結構(Fin-structure)、鐵電記憶體(Ferroelectric memory)

鍺(germanium)、堆疊結構(stacked)、菱形通道(diamond-shaped)、鐵電電容(ferroelectric)、臭氧介面處理(ozone treatment)

環繞式閘極(gate-all-around)、鍺通道(germanium)、奈米線(nanowire)、無接面式(junctionless)、鐵電電晶體(ferroelectric FET)

矽鍺(Silicon-germanium (SiGe))、氧化鉿鋯(Hafnium zirconium oxide (HZO))、鐵電(Ferroelectric)、鰭式場效電晶體(FinFET)、次臨界斜率(Plasma)、電漿(Supercritical fluid (SCF))、超臨界流體(undefined)

無接面式電晶體(Junctionless field effect transistor (JLFET))、奈米薄片(Nanosheet (NS))、鰭式場效電晶體(Fin field effect transistor (FinFET))、環繞式閘極場效電晶體(Gate-all-around field effect transistor (GAAFET))、氧化鉿鋯(Hafnium zirconium oxide (HfZrO))、鐵電(Ferroelectric)、次臨界擺幅(Subthreshold swing (SS))、負電容(Negative capacitance (NC))

負電容(Negative capacitance (NC))、鐵電(ferroelectric)、鰭式場效電晶體(FinFET)、氧化鉿鋯(hafnium zirconium oxide)、低於60 mV / decade的次臨界斜率(sub-60-mV/decade)

鍺(Germanium)、非揮發性記憶體(non-volatile memory)、鰭式電晶體結構(FinFET)、絕緣矽基板(SOI)、嵌入式(embedded)

鍺(germanium)、多閘極(gate-all-around)、鐵電(ferroelectricity)、奈米薄片(nanosheet)、奈米線(nanowire)

無接面式場效電晶體(Junctionless Field Effect Transistor)、堆疊式奈米薄片(Stacked Nanosheet)、非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory)、環繞式閘極(Gate-All-Around)

鰭式電晶體(FinFET)、非揮發性記憶體(Nonvolatile Memory)、無接面電晶體(Junctionless Transistor)、奈米片電晶體(Nanosheet FET)

無接面式通道(junctionless)、環繞式閘極(GAA)

次五奈米(Sub-5 nm)、矽鍺通道(SiGe channel)、退後井製程(Super Steep Retrograde Well)、環繞式閘極(Gate-all-around)、奈米薄片(Nanosheet)、無接面式電晶體(Junctionless FET)

混合式(Hybrid)、無接面場效電晶體(Junctionless)、殼狀(Shell)、電子束微影(EBL)、多晶矽(Polysilicon)

電晶體(transistor)、無接面式(junctionless)、模擬(pnop)

N5邏輯元件(N5 logic device)、錐形鰭式場效電晶體(tapered FinFET)、奈米薄片場效電晶體(nanosheet FET)、鍺量子井鰭式場效電晶體(Ge-cap quantum well FinFET)、砷化銦鎵鰭式場效電晶體(InGaAs FinFET)、矽鍺穿隧場效電晶體(GeSi tunnel FET)

奈米電子元件(Nano electronic Devices)、CMOS(CMOS)、場效應晶體管（FET)(field effect transistor (FET))

雙堆疊通道(double stack channel)、堆疊捕捉層(stack trapping layer)、奈米薄片(nanosheet)、非揮發記憶體(Nonvolatile Memory)

反轉(Inversion)、累積(Accumulation)、無接面(Junctionless)

奈米薄片(nanosheet)、電晶體(transistor)

互補式電晶體(CMOS)、鍺(Germaium)、矽電晶體結構在絕緣體之上(SOI)

無接面鰭式(Junctionless Fin Field-Effect)、場效電晶體(Transistors)、三維堆疊(3D-IC)、奈米尺度(Nano-Scale)

無接面式場效應電晶體(JLFET)、穿隧式場效應電晶體(TFET)、超簿通道(UTB)、帶至帶穿隧(BTBT)

垂直堆疊結構(vertically stacked structure)、奈米薄片(nanosheet)、多晶矽通道(Poly-Si channel)

雙堆疊氮化矽(double stacked silicon nitride)、環繞式閘極(gate all around)、非揮發性記憶體(nonvolatile memory)

無接面場效電晶體(Junctionless)、環繞式閘極(GAA)、溝槽式結構(Trench)、混合式(Hybrid)

鰭式電晶體(FinFET)、TCAD模擬(TCAD simulation)、次16奈米(sub-16 nm)

電晶體(Trench)、溝槽式(Junctionless)、無接面式(Transistors)、鰭式(Fin Field-Effect Transistors)

無接面式電晶體(Junctionless)、溝槽式通道(Trench structure)、混合式結構(Hybrid structure)、鰭式電晶體(FinFET)

雙層氮化矽(Double Stacked Si3N4)、溝槽式(Ultra-Thin Body)、超薄複晶矽通道(Junctionless FET)、快閃記憶體(Trench Structure)

環繞式閘極(Gate-all-around)、超薄主動層(Ultra-thin body)、無接面電晶體(Junctionless FET)

無接面電晶體(Junctionless Transistor)、升抬式汲源極(Riased Soruce/Draim)、反參雜混合通道(Hybrid P/N channel)、場效電晶體(Field-Effect Transistor)

無接面式(Junctionless)、環繞式閘極(Gate-all-around)、鰭式電晶體(fin-field-effect transistor)、非揮發性記憶體(nonvolatile memory)、矽奈米晶體(silicon nanocrystal)、三維堆疊(three-dimensional)

無接面式電晶體(junctionless transistor)、鰭式電晶體(FinFET)、三向閘極(Tri-gate)、奈米線(nanowires)、溝槽式無接面式電晶體(trench JL-FET)、超薄主動層(ultra-thin body)

鰭式場效電晶體(Fin-Shape FET)、穿隧式場效電晶體(Tunnel FET)、非對稱閘極(Asymmetry gate)、能帶間穿隧效應(Band-to-band tunneling (BTBT))、可靠度研究(Reliability Study)

電晶體、非揮發性記憶體、無接面

電晶體(Transistor)、薄膜電晶體(TFT)、超薄主動層(UTB)、無接面電晶體(Junctionless)、量子侷限效應(Quantum Confinement Effect)、氧化薄化法(Oxidation Thinning Method)

非揮發性記憶體(Nonvolatile Memory (NVM))、薄膜電晶體(Thin Film Transistor (TFT))、穿隧電晶體(Tunneling-Field-Effect-Transistor (TFET))、奈米線(Nanowire (NW))、電荷儲存式(Charge Trapping (CT))、鰭式(Fin-shaped)

穿隧電晶體(Tunneling field effect transistor)、微波退火(Microwave annealing)、非對稱性結構(Asymmetry structure)、多晶矽(Poly-silicon)、鰭式電晶體(Fin-FET)