鐵電記憶體(ferroelectric memory)、鐵電穿隧元件(FTJ)、鐵電電容(FeCaps)、介面工程(interface engineering)、多位元操作(multi-bit operation)、低功耗(low power)

鐵電記憶體(Ferroelectric memory)、鐵電電容(Ferroelectric capacitor)、介面工程(Interface engineering)、電漿處理(Plasma treatment)、類神經網路(Neural network)、低溫製程(Low Temperature process)

鍺基板(Germanium Substrate)、介面工程(Interface Engineering)、鐵電電晶體(FeFET)、微波退火(Microwave Annealing)

鐵電電容(Ferroelectric Capacitor)、耐久度(Endurance)、漏電流(Leakage current)、極化量(Polarization)

鐵電(Ferroelectric)、鐵電電晶體(FeFET)、漸層式結構(Gradient structure)、氧化鋯鉿(HfZrOx)、可靠度(Reliability)、氧缺陷(Oxygen vacancy)

鐵電電容(Ferroelectric Capacitor)、原子層氣相沉積(Reliability)、氮化鉭(Atomic Layer Deposited)、回春現象(Tantalum Nitride)、可靠度(Rejuvenation Phenomenon)

鐵電電容(FeRAM)、氧化鉿新鐵電材料(HfxZr1-xO2)、鐵電記憶體(Ferroelectric Memory)

鐵電記憶體(FeRAM)、低耗能元件(low power operation)、多位元儲存(TLC operation)

電荷捕捉(Charge trapping)、氧化鉿鋯(HZO)、鐵電電晶體(FEFET)、鍺基板(Germanium substrate)

毫米波(mmW)、W波段(W-band)、倍頻器(Frequency multiplier)、濾波器(Filter)、基板整合波導(Substrate-integrated waveguide)、砷化鎵(GaAs)

兆赫波(THz)、兆赫波影像器(THz imager)、介電共振器天線(Dielectric resonator antenna)、天線陣列(Antenna array)、即時成像(Real-time imaging)

費米能階釘札效應(Fermi-level Pinning Effect)、接觸電阻率(Contact Resistivity)、穿隧式電晶體(Tunnel Field-effect Transistor)、雙極性效應(Ambipolar Effect)、次臨界擺幅(Subthreshold Swing)

鐵電性(Ferroelectricity)、氧化鉿鋯(HfZrO)、鐵電電容(FeCap)、鐵電電晶體(FeFET)、P型通道(P-Channel)、極化電流峰分裂(Switching Current Split-Up)、一階反轉曲線(FORC)、可靠度(Reliability)、多位元儲存(Multi-Level Cell)、微波退火(Microwave Annealing)

鍺基板(Germanium Substrate)、鐵電電晶體(FeFET)、介面工程(Interface engineering)、電荷捕捉效應(Charge trapping effect)、三位元(Triple-level Cell)、微波退火(Microwave annealing)

鐵電記憶體(ferroelectric memory)、氧化鉿鋯鐵電電容(HfZrOx)、部分切換操作(partial switching operation)、極化電流峰分裂效應(split-up effect)、種子層(seed layer)

鐵電電容(FeRAM)、沉積後退火(post deposition annealing)、介面工程(interface engineering)、可靠度(reliability)、喚醒效應(wake-up effect)、多位元儲存操作(triple-level cell)

積層結構(Lamination)、鐵電電容(Ferroelectric Capacitor)、改善極化值(Improving Polarization)、改善喚醒效應(Improving Wake-up Effect)、四層儲存單元(Quad-level cell)、氧化鉿鋯(HfZrOx)

毫米波(mmW)、太赫茲(THz)、發射機(Transmitter)、成像系統(Imaging system)、CMOS(Power amplifier)、功率放大器(Mixer)、混頻器(Quadrature hybrid)、正交訊號產生器(Phase shifter)、相移器(Transformer)、變壓器(undefined)

鐵電性(ferroelectricity)、鐵電穿隧接面(ferroelectric tunnel junction)、穿隧電阻比(TER ratio)、熱離子注入(thermionic injection)

鐵電電晶體(FeFET)、氧化鋯鉿(HfZrO2)、深度學習網路(DNN)、非揮發性記憶體(NVM)、脈衝依賴時序可塑性(STDP)

金屬閘極工程(Metal gate stack)、金氧半電容(MOSCAP)、鎢金屬氣相化學沉積(WCVD)、氟擴散(Fluorine diffusion)、阻擋層(Barrier layer)、氮化鋁鈦(Titanium aluminium nitride)

可靠度(Reliability)、鐵電材料(Ferroelectric material)、沉積後退火(Post deposition annealing)、氧空缺控制(Oxygen vacancy control)、氧化鉿鋯(HfZrOx)、氮氧化鋁(AlON)

印刷(printed)、可撓式(flexible)、液晶高分子聚合物(liquid crystal polymer)、噴墨(LCP)、軟性電子(Inkjet)

多晶鍺錫化合物(Poly-GeSn)、氬氣退火(Ar annealing)、氨氣電漿(NH3 plasma)、鐵電(Ferroelectric)、氧化鉭(Ta2O5)、神經型態運算(Neuromorphic Computing)

鐵電記憶體(Ferroelectric)、氮氧化鋁(AlON)、電晶體(FeFET)、記憶視窗(Memory window)、可靠度(Reliability)

閘極工程(Metal gate stack)、金氧半電容(MOSCAP)、鎢(Tungsten)、鈷(Cobalt)

錫化鍺(GeSn)、鐵電(Ferroelectric)、類神經網路(Neuromorphic Network)、脈衝神經網路(Spatiotemporal)、可靠度(Spiking neural network)

可靠度(reliability)、鐵電材料(ferroelectric material)、非揮發性記憶體(non-volatile memory)、二氧化鉿(hafnium oxide)、鐵電記憶體(ferroelectric memory)

磊晶(Epitaxy)、接觸電阻(Contact resistivity)

鐵電性(ferroelectricity)、氧化鋯鉿(HfZrOx)、可切換式二極體(switchable diode)、記憶體內運算(in-memory computing)、電阻式切換(resistive switching)、憶阻器(memristor)、時序邏輯(sequential logic cycle)、布林函數(Boolean function)、蕭特基發射(Schottky emission)、馮諾伊曼瓶頸(von Neumann bottleneck)

游離輻射(Ionizing Radiation)、氧化鉿鋯(HfZrOx)、鐵電電晶體(FeFETs)、非揮發性記憶體(non-volatile memory)

穿隧式場效電晶體(TFET)、雙極性效應(Ambipolar effect)、半導體輔助模擬程式(TCAD)、金屬功函數(Metal work function)

鍺化鈦(Titanium germanide)、N型鍺(n type germanium)、接觸電阻(contact resistivity)、蕭特基能障高度(Schottky barrier height)、鍺技術(Fermi level pinning)、費米能階釘札(undefined)

金屬-絕緣體-金屬電容(MIM capacitor)、去耦合(Decoupling)、二氧化鋯鉿(HfZrOx)、斜方晶相(Orthorhombic)

鐵電材料(ferroelectric material)

非揮發性記憶體(Nonvolatile memory)、電荷儲存層(Charge trapping layer)、N2O氮化(N2O nitridation)、高介電常數介電層(High-k dielectric)、Orthorhombic ZrTiO4(Orthorhombic ZrTiO4)、HfZrO(HfZrO)

費米能階去釘札(Fermi level depinning)

鰭式電晶體(FinFET)、接觸電阻(Contact Resistance)、預非晶化離子佈植(Pre-Amorphization Implant)

高介電材料(Reliability)、可靠度(High-k material)

鐵電性(Ferroelectric)、極化(Polarization)、二氧化鉿(Hafnium dioxide)、鋁摻雜(Aluminum doped)、記憶體(MFIS)、金屬-氧化物-半導體結構(MFS)、金屬-鐵電層-半導體結構(Memory)

錫化鍺N型電晶體(N-MOSFETs on GeSn Film)

ZrTiOx介電層、MIM電容、BaZryTi1-yO3介電層

稀土族氧化元素、電晶體、電容器、鍺、高介電常數材料

快閃記憶體、二極體

薄膜電晶體、氧化錫

二氧化鈦(crystalline TiO2)、MIM電容(MIM capacitors)、氮氣電漿處理(nitrogen plasma)、鍺奈米晶體(Ge nanocrystals)、庫倫阻斷效應(Coulomb blockade)

磊晶錫化鍺(epitaxial GeSn)、鍺基板(Ge substrate)、表面平坦度(surface roughness)、等效氧化層厚度(EOT)、漏電流(leakage current)

電阻式記憶體(RRAM)、陣列(cross-bar)