散熱(Heat dissipation)、封裝(Packaging)、均溫板(vapor chamber)、電鍍(electroplating)、枝狀晶(dendrite)、模擬(simulation)

奈米雙晶銅(Nanotwinned copper)、脈衝電鍍(Pulse electrodeposition)、抗腐蝕性質(Anti-corrosion property)

無電電鍍鎳(Electroless Nickel)、雙晶銅奈米線(Nanotwinned Copper Nanowires)、電鍍晶種層(Seed Layers)、陽極氧化鋁(Anodic Aluminum Oxide)、電鍍銅奈米線(Electrodeposited Copper Nanowires)

熱電材料(Thermoelectric)、熱壓燒結(Hot-pressing)、硫化鉛(Multi-element alloying)、硒化鉛(Low thermal conductivity)、晶格扭曲(undefined)

氧化亞銅薄膜(cuprous oxide thin film)、鈀共催化劑(palladium co-catalyst)、檸檬酸鈉表面改質(trisodium citrate surface treatment)、電鍍(electrodeposition)

低溫(Low temperature)、無電鍍(Electroless plating)、碲化鍺(GeTe)、直接接合(Direct bonding)、銀薄膜(Sliver film)

相轉變(Phase transformation)、高熵合金(High-entropy alloy)、晶格扭曲(Lattice distortion)、熱導率(Thermal conductivity)

光電催化(Photoelectrochemical)、水分解(Water splitting)、氧化亞銅(Cu2O)、同質接面(homojunction)

熱電材料(Thermoelectric material)、噴印(Dispenser printing)、厚膜(Thick film)、可撓式(Flexible)、能源採集(Energy harvesting)

熱電材料(thermoelectric)、高熵材料(high-entropy)、複合結構(composite)、低熱導率(low-thermal-conductivity)、熱壓燒結(hot-pressing)

熱電材料(Thermoelectric)、碲化鍺(GeTe)、能帶理論(GPT)

氧化亞銅(Cu2O)、光電催化(photoelectrochemical catalyst)、奈米線(nanowire)、水分解(water splitting)

氧化亞銅(Cu2O)、光電催化(Photoelectrocatalytic)、能帶排列(Band alignment)、薄膜(Thin film)、電鍍(Electroplating)

二氧化碳還原(CO2-reduction)、光催化(photocatalysis)、多碳數產物(multi-carbon)、動力學(kinetics)、三重活性位置(triple-active-sites)

熱導管(Heat pipe)、均溫版(Vapor chamber)、散熱裝置(Heat dissipation applications)、電鍍(Electrodeposition)、多孔性結構(Porous structure)、枝狀晶(Dendrite)、毛細表現參數(Capillary performance)

熱電(thermoelectric)、碲化鉍(Bi2Te3)、厚膜(thickfilm)、模組(module)

電流輔助燒結(Current-assisted sintering)、網版印刷熱電厚膜(Screen-printed thermoelectric thick film)

熱電材料(Thermoelectric material)、碲化鍺-碲化鉛系統(GeTe-PbTe system)、碲化鍺相變化(GeTe phase transition)、低溫熱壓燒結(Low-temperature hot-pressed sintering)、電流輔助燒結(Current-assisted sintering method)、電流焦耳熱效應(Joule heating effect caused by current)

電遷移(Electromigration)、臨場式穿透式電子顯微鏡(In situ TEM)、銅奈米線(Copper nanowire)、奈米雙晶(Nanotwin)、銅銀核殼結構(Cu-Ag core shell structure)

鹼性水電解(Alkaline water electrolysis)、陽極氧化鋁(Anodic aluminum oxide)、合金奈米陣列(Alloy nanowire array)、過渡金屬磷化物(TMP)、電沉積法(Electrodeposition)

非酵素型葡萄糖感測器(non-enzymatic glucose sensor)、氧化銅(copper oxide)、銅奈米線(Cu nanowire)、電化學(electrochemical)、循環伏安法(cyclic voltammetry)

鍺摻雜碲化鉍系統(Ge-doped Bi2Te3 system)、熱電材料(thermoelectric materials)、鍺(Germanium)、電致遷移(electronmigration)

奈米線(nanowires)、雙晶(twin boundary)、氧化(oxidation)、克肯達爾效應(Kirkendall effect)

碲化鉛(PbTe)、電流輔助燒結(Current-assisted sintering method)、能帶結構(Band structure)、熱電性質(Thermoelectric properties)

熱電(thermoelectric)、厚膜(thickfilm)、印刷(print)、碲化鉍(Bi2Te3)、模組(module)、能源(energy)

熱電材料(thermoelectric material)、碲化鉍系化合物(bismuth telluride based compounds)、熱電模組(thermoelectric module)、接面結構材料(junction structured material)、摻雜(Doping)

銀(Ag)、碲化銻鉍(Bi-Sb-Te)、電致遷移(electromigration)、電洞風(hole wind)、熱電性質(thermoelectric property)

核殼結構(Core-shell structure)、銅奈米線(Copper nanowires)、雙晶(nano-twin)、透明導電膜(transparent conductive films)

銅奈米線(Copper nanowires)、奈米雙晶(Nanotwin)、核殼結構奈米線(Core-shell nanowires)、透明導電薄膜(Transparent conductive films)

熱電材料(thermoelectric materials)、碲化鉍(bismuth telluride)、多層膜結構(multilayer structure)

反蛋白石結構(inverse opal structure)、碲化鉍(bismuth telluride)、熱電(thermoelectric)、電鍍(electrodeposition)

直流電鍍(electroplating)、超音波(ultrasound)、添加劑(additive)、奈米雙晶(nanotwin)

碲化鉍(Bi2Te3)、拉伸應力(tensile stress)、裂紋(crack)

銅鎳(Copper Nickel)、核殼結構(core-shell structure)、導電性質(electrical property)、奈米線(nanowire)

熱電材料(thermoelectrics)、摻雜(doping)、碲化鉍(bismuth telluride)、擴散(diffusion)、塊材(bulk)

熱電材料(thermoelectrics)、薄膜(thin films)、碲化鉍(bismuth telluride)、銀摻雜(sliver-doping)、擴散(diffusion)

熱電材料、殘餘應力

熱電材料(Thermoelectric material)、熱壓(Hot press)、橫向西貝克效應(Transverse Seebeck effect)、銀(silver)、非均勻摻雜(non-uniform doping)