鰭式電晶體(FinFET)、非晶氧化物半導體(AOS)、三維積體電路(IGZO)、互補式金屬氧化物半導體(CMOS)、氧化銦鎵鋅(3DIC)、單片堆疊(monolithic)

鍺縮合製程(Ge condensation process)、矽鍺鰭式場效電晶體(SiGe FinFET)、輻射效應(Radiation effect)

矽鍺通道(Buffer Layer)、鰭式電晶體(FinFET)、氮化金屬(PIII)、電漿浸潤式離子佈植(undefined)

電阻式記憶體(RRAM)、鰭式場效應電晶體(FinFET)

三維積體電路元件(3D integrated circuit device)、互補式金屬氧化半導體(CMOS)、矽鍺鰭式電晶體(SiGe FinFET)、非晶氧化物半導體(Amorphous Oxide Semiconductor)、氧化銦鎵鋅薄膜電晶體(IGZO TFT)

鍺電晶體(germanium)、界面層(interface)、氧化釔(yttrium)、電容(capacitance)、漏電流(leakage)、等效厚度(hysteresis)、遲滯(undefined)、頻散(undefined)

鎳化鍺後離子佈值(Ion Implantation after NiGe(IAG))、低溫氧化閘堆疊(Low Temperature Oxidation on Gate Stacks)、鍺鰭式電晶體(Ge FinFET)、鍺閘極環繞式電晶體(Ge GAAFET)

鍺(Ge)、電晶體(MOSFET)、富金屬(Alloy Gate Dielectric)、合金(Vacuum Annealing)、真空退火(Low Temperature Oxidation)、低溫氧化(Metal Rich)

快閃記憶體(Flash memory)、輻射效應(Plasma treatment)、電漿處理(stacked oxide)、電荷儲存層(radiation damage)

快閃記憶體(Flash Memory)、能帶工程(Band Engineering)、無接面式電晶體(Junctionless Transistor)、三維閘極電晶體(Tri-Gate Transistor)

界面層(interfacial layer)、超臨界流體(super critical fluid)、輻射效應(radiation effect)、矽鍺(silicon germanium)、鰭式電晶體(FinFET)、氧化(oxidation)

納米機械諧振器(Nanomechanical Resonators)、凡德瓦材料(van der Waals Materials)、法布里-伯羅腔所(Fabry-Pérot Cavity)、光熱響應(Photothermal Response)、布朗運動(Brownian Motion)

鍺互補式電晶體(Germanium CMOS)、氮化鉿界面層(HfN interfacial layer)、富金屬界面層(Metal-rich interfacial layer)

n通道鍺金氧半電晶體(nMOSFET)、電漿浸潤式離子佈植(Plasma Immersion Ion Implantation)、n+/p接面(n+/p Junction)、雷射退火(Laser annealing)、微波退火(Microwave annealing)

分子吸收光譜(Molecular charge)、分子電荷(molecular absorption)、奈米矽線(silicon nanowire)、生物感測器(biosensor)、場效應晶體管(field-effect transistor)、ELISA(ELISA)、NGAL(NGAL)、比色法(colorimetric)、金屬配合物(metal complexes)

納米機械振盪器(Nanomechanical oscillators)、納米機械諧振器(Nanomechanical resonators)、模態分析(Modal analysis)、二維材料(Two-dimensional materials)、光電傳感器(Optoelectrical transducer)

半導體工程(Semiconductor Engineering)

鰭式電晶體(FinFET)、閘堆疊(Gate)、矽鍺(SiGe)、界面層(interface)、鍺縮合(condensation)、電特性(electrical)

真空(vacuum)、電漿(plasma)、閘極(gate)、鍺(Ge)、鰭式電晶體(FinFET)、電特性(electrical)、界面(annealing)

鍺縮合製程(Ge Condensation process)、輻射效應(radiation effect)

純鍺(Ge)、金氧半電晶體(MOSFET)、鰭式電晶體(FinFET)、界面層處理(Interfacial layer treatment)、超臨界流體(Supercritical fluid treatmen)、互補式元件(CMOS)

鍺(Germanium)、金氧半場效電晶體(MOSFET)、氧化製程(oxidation process)、閘極工程(gate stack engineering)

鍺互補式金氧半電晶體(Ge CMOS)、閘極介面工程(Gate stack engineering)、超臨界氧化(Supercritial Fluid treatment)、電荷汲引技術(Charge pumping)

超臨界流體製程(Supercritical Fluid Treatment)、鍺鰭式電晶體(GeFinFET)、互補式金屬氧化物半導體(CMOS)

接觸電阻(Geramnium)、鍺(contact resistivity)、雷射退火(laser annealing)

元件(device)、製程(interface)、介面(dielectric)、介電層(Germanium)、鍺(process)

電荷陷阱式(charge-trapping)、鍺通道(Ge channel)、能帶工程(bandgap-engineering)、快閃記憶體(flash-memory)

鐵硒超導體(FeSe superconductors)、費耳威相變(Verwey transition)、鐵空缺有序性(Fe-vacancy order)、莫特絕緣體(Mott-insulator)、混合價態(Mix-valence state)、巨磁阻效應(Colossal magnetoresistance)

電荷陷阱式(charge-trapping)、多晶鍺(poly-Ge)、能帶工程(bandgap-engineering)、快閃記憶體(flash-memory)

鍺電晶體(Ge MOSFET)、輻射傷害(Radiation Damage)、可靠度(Reliability)、負偏壓溫度不穩定性(NBTI)

三維積體電路(3D-IC)、互補式金氧辦電晶體(CMOS)、多晶矽(Poly-Si)、非晶氧化半導體(Amorphous oxide semiconductor)、多晶鍺(Poly-Ge)

快閃記憶體(Flash memory)、多晶矽(Poly-Si)、多晶鍺(Poly-Ge)、電荷捕捉式(Charge trapping)、穿隧氧化層(Tunneling layer)

鍺(Ge)、鰭式電晶體(FinFET)、閘極(Gate)、介面層(Interfacial Layer)、互補式金氧半電晶體(CMOS)

矽鍺(SiGe)、超晶格(Super-Lattice)、鰭式場效電晶體(FinFET)、全環繞式場效電晶體(GAAFET)、矽(Si)、矽帽(Si-cap)

低溫製程(AlN)、下閘極堆疊(bottom gate)、電荷捕捉式記憶體(charge trapping)、氮化鋁(flash memory)、可靠度(low temperature)、操作速度(reliability)

接觸電阻(contact resistance)、N型鍺(specific contact resistance)、氧電漿(contact resistivity)、M-I-S結構(n-Ge)、介面氧化層(M-I-S structure)、費米能階釘扎(Ti-Ge-O interfacial layer)、蕭特基能障(Fermi level pinning)、接觸電阻率(Schottky barrier)、特徵接觸電阻(Ohmic contact)、歐姆接觸(undefined)

閘極全環繞式場效電晶體(GAAFET)、三氧化釔(Y2O3)、矽鍺(yttrium)、氧化釔(SiGe)

閘極全環繞式場效電晶體(GAAFET)、鍺電晶體(Ge)

矽(Si)、介面處理(interfacial treatment)、鰭式場效電晶體(FinFET)、退火(annealing)、氮化(nitridation)

鍺(Germanium)、金氧半場效電晶體(MOSFET)、超臨界流體(Supercritical phase fluid)、電漿後氧化(Plasma post oxidation)、鎳鍺(Nickel-Germanide)

電荷捕捉式快閃記憶體(Charge-Trapping Flash Memory)、多晶矽(Poly-Si)、三面閘極結構(Tri-Gate)、高介電係數材料(High-K)、輻射效應(Radiation Effect)

鍺(plasma)、電漿處理(germanium)、接觸(contact)

穿隧氧化層(Tunneling Layer)、多晶鍺(Poly-Ge)、電荷捕捉式快閃記憶體(Charge-Trapping Flash Memory Devices)

鰭式電晶體(FinFET)、全環繞式電晶體(GAAFET)、電特性(Electrical Characteristics)、可靠度(Reliability)、電漿介面處理(Plasma Treatment)、輻射傷害(Radiation Damage)

n型鍺金氧半電晶體(Ge n-MOSFET)、氫電漿處理(hydrogen plasma)、閘極製程(gate stack engineering)

鍺(GeMOSFET)、鰭式電晶體(GeFinFET)、微波熱處理(microwave annealing)、高介電材料(high-k)

阻擋層(barrier layer)、金屬後退火(post-metal anneal)、鰭式電晶體(FinFET)、可靠度(reliability)、氧空缺(oxygen vacancy)、閘極漏電流(gate leakage)

鋁(Al)、奈米金屬線(Aluminum)、可靠度(nanowires)、電致遷移(reliability)、竹節狀(electromigration)

金氧半電晶體(MOSFET)、閘極工程(Gate stack engineering)、介面工程(Interface engineering)、電漿處理(Plasma treatment)、緩衝層(Buffer layer)、熱預算(Thermal budget)

鍺(Ge)、p型鍺金氧半電晶體(pMOSFET)、閘極工程(Gate Stack)

環繞式閘極結構(Gate-All-Around)、多晶鍺(Poly-Ge)、電荷捕捉式快閃記憶體(Charge-Trapping Flash Memory Devices)

鰭式電晶體(FinFET)、閘極介電層(Gate dielectric)、閘極漏電流(Gate leakage current)、可靠度(Reliability)

雷射(laser)、雷射退火(laser annealing)、雙重離子佈植(double ion implantations)、鰭式電晶體(finfet)、絕緣層覆矽(SOI)

快閃記憶體(Flash)

矽(Si)、高介電材料(high-k material)、電漿處理(plasma treatment)、矽鍺(SiGe)

鍺(Ge)、n鍺金氧半場效電晶體(Ge nMOSFET)、閘極工程(Gate Stack Engineering)、介面工程(Interface Engineering)、鍺n+/p接面優化(improve Ge n+/p junction)、氮化鉿(Hf3N4)

快閃記憶體(flash)、多晶鍺通道(memory)、多晶矽通道(Ge)、二氧化鍺(Si)

磊晶矽鍺掩埋通道(SiGe buried channel)、電漿處理(Plasma Treatments)、鰭式電晶體(FinFETs)

鍺金氧半電晶體(Ge MOSFETs)、微波退火(Microwave Annealing)、介面工程(Interface Engineering)

介電質(High-k)、鰭式電晶體(FinFET)、閘堆疊(Gate Stacks)

半導體製程(Semiconductor Process)、鰭式電晶體(FinFET)、氧空缺(Oxygen Vacancy)、等效氧化層微縮(EOT Scaling)、高介電層(High-K Dielectric)、金屬層後退火(Post Metal Annealing)

多晶鍺(poly-Ge)

鍺(Ge)、電晶體(MOSFET)、高介電係數(high-k)、遷移率(mobility)、漏電流(interface)、閘極堆疊(leakage)、界面(ZrO2)、金屬覆蓋層(undefined)、氧化鋯(undefined)

快閃記憶體(Flash)、電荷捕捉式記憶體(ChargeTrapping)、高介電係數材料(High-K)、氮化矽工程(Nitride)

閘極工程(gate stack engineering)、氧化鉿(HfO2)、金屬閘極(metal gate)、沉積後退火(PDA)

矽鍺氧化穿隧層(SiGeO tunneling layer)

環繞閘極結構(Gate all around structure)

鰭式電晶體(FinFET)

堆疊垂直閘極快閃記憶體(Stacked Vertical Gate Junctionless Flash Memory)、奈米線快閃記憶體(Nano-wire Flash Meemory)

鍺金氧半電晶體(Ge MOSFET)、鉿薄膜緩衝層(Hf-rich buffer)、氧化鋯(ZrO2)、微波退火(Microwave annealing)、雷射退火(Laser annealing)

電荷汲引技術(Charge Pumping Technique)

多晶鍺(poly Ge)、無接面(junctionless)、快閃記憶體(flash memory)、通道摻雜(channel dopant)

鍺金氧半電晶體(Ge MOSFETs)、鉿薄膜緩衝層(Hf-rich buffer layre)、鋯薄膜緩衝層(Zr-rich buffer layer)、高溫沉積氧化鋯(ZrO2)

矽鍺通道(Si/Ge channel)、電荷陷阱式快閃記憶體元件(charge-trapping type flash memory)、堆疊穿隧層(stacked tunneling)、TCAD模擬(TCAD Simulaiton)

掩埋通道(Buried channel)、電荷捕陷式快閃記憶體(Charge-trapping (CT) flash memory)、多晶矽(Poly-Si)、奈米線(Nanowire)

鰭式電晶體(FinFET)

氫氣電漿(Hydrogen Plasma)、高溫處理(High Temperature Treatment)、矽在絕緣體上鰭式電晶體(SOI FinFET)

電荷儲存式快閃記憶體(Charge trapping type flash memory)

電漿處理(Plasma Treatments)、磊晶鍺虛擬基板(Ge Buried Channel)

鍺金氧半電晶體(Ge MOSFETs)、漏電流(Leakage Current)、退火(Annealing)

矽鍺超晶格通道(Si/Ge super-lattice channel)

多晶鍺(POLYGE)、快閃記憶體(undefined)

矽鍺(SiGe)、奈米線(undefined)、快閃記憶體(undefined)

低溫沉積介電層(Low-Temperature Formed Dielectrics)、垂直閘極三維堆疊記憶體(Vertical Gate 3D Stacked Flash Memory Devices)、無接面電荷捕捉記憶體(Junctionless Charge Trapping Flash Memory Devices)、能帶工程(Bandgap Engineering)

鍺(Ge)、介面層(IL)、熱處理(heat treatment)、氫氣處理(H2 treatment)、氮氣處理(N2 treatment)、退火(annealing)

鰭式場效電晶體(FinFET)

鰭式電晶體(FinFET)、氧空缺(Oxygen vacancy)、臨界電壓(Threshold voltage)、高介電層(High-k)、功函數(Work function)

鍺基板、鍺金氧半

電阻式記憶體、雙極性轉換、鈀電極

鍺金氧半電晶體、鍺氧化層、介面工程、氫氣處理、熱處理、微波退火活化

鍺電晶體(Ge MOSFET)、氮氧化鉿(HfON)、原子層氣相沉積(ALD)、二氧化鋯(ZrO2)

界面層(Interfacial Layer)、電荷汲引(Charge Pumping)、微波退火(Microwave Annealing)、界面層再成長(IL Regrowth)、鹵素電漿(Halogen Plasma)、純鍺元件(Ge-Sub MOSFETs)

Ge、MOSFETs、charge pumping

金氧半元件

鍺金氧半電容、鍺氧化層、介面工程、原子層沉積、氫氧根自由基

高介電層、ALD

metal gate、MOS、high work function

高介電係數材料、二氧化鉿、浸潤式離子佈植機、氧化鉿鋁、氮、寫入/抹除、電荷保持力、耐力、堆疊式電荷儲存層

金氧半、氮、高介電層、電漿、界面

能帶工程(bangap engineered)、奈米線通道(nanowire channel)、快閃記憶體(flash memory)

奈米線、無接面、高介電材料、能帶工程、快閃記憶體