政府計畫（GRB），建議「依年度遞減排序」，以查看最新的研究方向。
| 畢業學年度 | 論文標題 | 連結 | 學位 | 畢業時長(years) |
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| 關鍵字 | ||||
| 112 | 先進記憶體... 先進記憶體元件與氮化鎵高電子遷移率電晶體之物理機制研究 (Study on Physical Mechanism of Advanced Memory Device and GaN High Electron Mobility Transistor) | NTHU NDLTD | 碩逕博 | 6.48 |
電橋式記憶體(Conductive-Bridge Random Access Memory (CBRAM))、電阻式記憶體(Resistive Random Access Memory (RRAM))、加凡尼反應(Galvanic Reaction)、高能量輻射(High-Energy Irradiation)、電流傳導機制(Current Conduction Mechanism)、氮化鎵高電子遷移率電晶體(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors (GaN HEMT))、氫擴散(Hydrogen Out-Diffusion) 電橋式記憶... | ||||
| 112 | 前瞻金屬氧... 前瞻金屬氧化物與低溫多晶矽薄膜電晶體開發與物理機制探討 (Development and Physical Mechanisms Establishment of Advanced Metal Oxides and Low-Temperature Polysilicon Thin-Film Transistors) | NTHU NDLTD | 碩逕博 | 6.48 |
薄膜電晶體(thin-film transistor (TFT))、銦鎵鋅氧(indium–gallium–zinc oxide (IGZO))、低溫多晶矽(low-temperature polysilicon (LTPS))、熱載子效應(hot-carrier)、負偏壓照光不穩定性(negative bias illumination stress)、正偏壓不穩定性(positive bias stress)、水氣(moist environment)、自熱效應(self-heating stress)、可撓(flexible)、機械應力(mechanical bending) 薄膜電晶體... | ||||
| 108 | 前瞻鰭式場... 前瞻鰭式場效電晶體與平面場效電晶體之電性分析與可靠度研究 (Investigation of Electrical characteristics Analysis and Reliability in Advanced FinFETs and Planar MOSFETs) | NTHU NDLTD | 碩逕博 | 5.27 |
平面場效電晶體(MOSFETs)、鰭式場效電晶體(FinFETs)、熱載子(Hot Carriers)、陽極電洞注入(Anode Hole Injection)、氧空缺(Oxygen Vacancy) 平面場效電... |