類比數位轉換器(ADC)、連續趨進式數位類比轉換器(SAR ADC)、雜訊整形(Noise shaping)、被動式雜訊整形(Passive noise shaping)

振盪器(Oscillator)、溫度補償(Temperature Compensation)、低週期抖動(Low Period Jitter)

鋰電池充電器(Battery charger)、充電溫度保護(Battery temperature protection)、降壓型穩壓器(Buck)、定電壓(Constant voltage)、定電流(Constant current)、效率(Efficiency)

射頻能量收集(RF Energy Harvesting)、射頻-直流電壓轉換電路(RF-to-DC Converter)、2.4GHz(2.4GHz)

光偵測器(Photodetector)、矽鍺異質接面雙極性電晶體(SiGe HBT)、蓋格模式(Geiger Mode)、暗計數(Dark Count)

超薄金屬(Ultra-thin Metal)、三端元件(Three-terminal Device)、熱載子(Hot Carriers)、紅外光(Infrared Light Detector)

單光子崩潰電晶體(Single Photon Avalanche Transistor)、單光子偵測器(Single Photon Detector)、異質接面電晶體(Heterojunction Bipolar Transistor)、冷卻電路(Quenching Circuit)、計數器(Counter)

電荷泵(charge pump)、低輸入電壓(low input voltage)、頻率控制(frequency control)

負電壓(negative voltage)、負電荷泵(negative charge pump)、線性穩壓器(low-dropout regulator)、自體參考電壓(self-generated referenced voltage)、直流-直流轉換器(DC-to-DC converter)

鎖相迴路(phase-locked loop)、頻率合成器(frequency synthesizer)、頻率溫度變異度(temperature frequency stability)、抖動(jitter)

單光子偵測器(single photon detector)、單光子崩潰二極體(SPAD)、截止電路(quenching circuit)、矽鍺異質接面雙極性電晶體(SiGe HBT)

類比術位轉換器(Analog to Digital Converter)、連續漸進式類比術位轉換器(SAR ADC)、過取樣(Oversampling)、光偵測器(CMOS Image Sensor)

白金(Platinum)、氧化鋅(ZnO)、三端元件(Three-terminal Device)、超薄金屬(Ultra thin metal)、特性(Characterization)

表面電漿共振(Surface Plasmon Resonance)、金屬氧化物(Metal Oxide Material)、紅外光(Infrared Light)

波長偵測器(wavelength detector)、標準製程(CMOS standard process)

紅外光偵測器(Infrared photodetector)、熱載子(Hot carrier)、矽基(Silicon-based)、氧化鋅(ZnO)

原子層沉積(Atomic Layer Deposition)、臨場摻雜(in-situ doping)、氧化鋅(Zinc Oxide)、摻鋁氧化鋅(Aluminum-Doped Zinc Oxide)、同質同型接面(Isotype Homojunction)、電晶體(transistor)

CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor)、動態範圍(Dynamic Range)、光伏模式(Noise Reduction)、雜訊抑制(Photovoltaic Mode)

類比數位轉換器(ADC)、循序漸進式(SAR)、自我修正(Self-Calibration)

光採集(Solar Harvest)、蕭特基接面(Schottky Junction)、電解水(Water Splitting)

時脈產生器(relaxation oscillator)、頻率穩定度(frequency stability)

隨機震動驅動電路(random noise vibration driver IC)、站立平衡能力(standing balance ability)、隨機共振理論(Stochastic Resonance)

平衡機制(Balance mechanisms)、隨機共振(Stochastic Resonance)、感知神經增強系統(Nerve perception enhancement system)、觸覺評估器(Touch-Test sensory evaluators)、雜訊(Noise)、振動鞋墊(Vibration insole)

單光子崩潰電晶體(Single-Photon Avalanche Transistor)、冷卻電路(Quenching Circuit)、遲滯現象(Hysteresis)、蓋格模式(Geiger mode)、延長元件崩潰後停留在崩潰電壓之下的時間(Hold-off time)

標準製程(standard cmos technology)、影像感測器(image sensor)、橫向式電晶體(lateral phototransistor)、高響應度(high dynamic range)、高動態範圍(high responsivity)、光偵測器(photodetector)

電荷泵(charge pump)、逆回流電流(reverse current)、導通電阻(switch on-resistance)、頻率控制系統(frequency control system)

紅外光感測器(Infrared Sensor)、蕭特基(Schottky)、銦/矽(Indium-Silicon)

原子層沉積(Atomic Layer Deposition)、臨場摻雜(in-situ doping)、氧化鋅(Zinc Oxide)、摻鎵氧化鋅(Gallium-Doped Zinc Oxide)、同質同型接面(Isotype Homojunction)、電晶體(Transistor)

原子層沉積(Atomic Layer Deposition)、氧化鋅(ZnO)、摻鋁氧化鋅(Al-doped ZnO)、電致發光(Electroluminescence)

非晶矽(amorphous silicon)、致冷晶片(thermoelectric cooler)、快速熱處理(RTP)

連續漸進式類比數位轉換器(SAR)、雜訊重塑(Noise-Shaping)、超取樣(Oversampling)

單層石墨烯(Single Layer Graphene)、可見光發光元件(Visible Light Emitting Device)、載子注入(Defects of Graphene)、石墨烯缺陷(Carriers Injection)、順偏發光(Luminescence at Forward Bias)、逆偏發光(Luminescence at Reverse Bias)

摻鋁氧化鋅(Aluminum-Doped Zinc Oxide)、透明多功能導電電極(Transparent Multifunctional Conducting Electrode)、抗反射層(Anti-Reflection Layer)、蕭特基接面(Schottky Junction)、單原子層沉積技術(Atomic Layer Deposition)

超薄氧化鋅(Ultra Thin Zinc-Oxide)、異質接面電晶體(Hetrojunction Transistor)、高增益(High Gain)、低功耗(Low Power)、原子層沉積薄膜(Atomic Layer Deposition Thin film)、貼合電極(adhesion electrode)

單光子崩潰電晶體(Single Photon Avalanche Transistor)、低操作電壓(Low Operation Viltage)、低功耗(Low Power Consumption)、CMOS標準製程(CMOS Standard Process)、橫向寄生電晶體(Lateral Parasitic Transistor)、高偵測率光偵測器(High Sensitivity Photodetector)

石墨烯(Graphene)、氧化鋅(Zinc-Oxide)

影像感測器(image sensor)、異質接面光電晶體(heterojunction bipolar phototransistor)、高動態範圍(high dynamic range)

異質太陽電池(Heterojunction Solar Cell)、電解水(Water Splitting)、金屬奈米粒子(Metal Nanoparticles)、石墨烯(Graphene)

參考頻率生成電路(CMOS Relaxation Oscillator)、COMS震盪器(Temperature compensation)、抗溫變性(Voltage average feedback)

連續漸進式類比數位轉換器(SAR)、兩階段類比數位轉換器(ADC)、12位元(Two-Step)、有效減少面積(Area-Efficient)

數位相關二次取樣(digital correlated double sampling)、數位X光系統(digital X-ray system)、相關二次取樣(correlated double sampling)、數位類比轉換器(digital to analog converter)

石墨烯(Graphene)、氧化鋅(Zinc-oxide)、異質接面(Heterojunction)、電晶體(Transistor)、光感測元件(Photo sensor)、高增益(Current gain)

光電晶體(photo transistor)、異質接面(heterjunction)、雙極性電晶體(BJT)、響應速度(Response Speed)

濺鍍(Sputtering)、硒化製程(Selenization)、退火製程(Annealing process)、疊層太陽能電池(Tandem solar cell)

石墨烯(Graphene)、石墨烯轉移(Graphene transfer)、非晶矽(Amorphous silicon)、光二極體(Photodiode)、金屬氧化物半導體(MOSFET)、整合元件(Integrated device)

非揮發性記憶體(non-volatile memory)、雙位元(two bit)、鰭式電晶體(stepped-gate)、新型結構(new structure)、階梯式閘極(FinFet)

石墨烯(graphene)、電晶體(transistor)

脈管式類比數位轉換器(Pipelined ADC)、低功率(low power)、類比數位轉換器(analog-to-digital converter)

光感測器(Optical sensor)、光電晶體(Phototransistor)、橫向雙極性電晶體(Lateral BJT)、標準CMOS製程(Standard CMOS process)、高響應度(High responsivity)

鐵電(ferroelectric)、次臨界擺幅(S.S.)、非揮發性記憶體(NVM)

兩階段式比較單斜率類比數位轉換器(Two-step single slope ADC)

石墨烯(Graphene)

Body-strapped Base的雙極光電晶體(Bipolar Phototransistors with Body-strapped Base)

光電壓二極體(Photovoltage)、影像感測器(image sensor)、數位式二次相關取樣電路(Digital CDS)、像素陣列(Pixel array)、單斜率類比數位轉換器(Single-slope ADC)

主動陣列平板感測器(active matrix flat panel imagers (AMFPI))、數位X光系統(digital X-ray systems)、相關二次取樣(correlated double sampling (CDS))、數位相關二次取樣(digital CDS)、電流引導式數位類比轉換器(current-steering DAC)

溫度補償(temperature compensation)、時脈產生器(Relaxation Oscillator)

銅銦鎵硒太陽電池(CIGS solar cell)、硒化製程(selenization)、濺鍍製程(sputtering)

升壓轉換器(Boost Converter)、電流式直流轉換器(Current Mode DC-DC Converter)、電感電流偵測(Current-Sensing)

光電晶體(Phototransistor)、自给偏壓(Self-Bias)、BiCMOS製程(BiCMOS)、單光子崩潰二極體(SPAD)

石墨烯(graphene)、非晶矽(amorphous silicon)、光二極體(photodiode)

石墨烯(graphene)、電晶體製程(MOS process)

血氧計(Oximeter)、血氧濃度(Oxygen saturation)、光電二極體(PD)

提升老人平衡(Balance enhancement)、隨機共振理論(Stochastic resonance)、亂數雜訊(Random noise)

超寬頻(UWB)、低雜訊放大器(LNA)、主動巴倫(active balun)、共閘(common gate)、電流複用(current reused)、頻寬擴展(bandwidth extension)

電荷泵(charge pump)、頻率控制系統(frequency control system)

異質接面光電晶體、大陣列像素、低照度影像感測器

轉阻放大器(Transimpedance Amplifier)、限幅放大器(Limiting Amplifier)、主動電感(Active inductor)、差動主動米勒電容(Differential Active Miller capacitor)

接面場效電晶體(JFET)

單光子崩潰二極體

電壓調整器(Voltage regulator)、無輸出電容(Capacitor-free)、手搖式發電機(Portable generator)

參考振盪器(Reference oscillator)、石英振盪器(Crystal oscillator)

垂直共振腔面射型雷射、前置放大器、負電容、折疊式主動電感、主動回授電路