氮化鎵(Gallium Nitride (GaN))、微波單晶片積體電路(MMIC)、Doherty功率放大器(Doherty)、X參數(power amplifier)、F類(X-parameters)、諧波控制(Class-F)、汲極效率(harmonic control)、功率附加效率(drain efficiency)、第五代行動通訊(PAE)

氮化鎵高速電子遷移率電晶體(GaN HEMT)、高功率振盪器(High-power oscillator)、毫米波(Millimeter-Wave)、亞太赫茲(Sub-Teraherz)、單晶積體電路(MMIC)

量子電腦(Quantum Computer)、IPD製程(Integrated Passive Devices (IPD))、被動元件電路(Passive element Circuit)、低通濾波器(Low-Pass Filter (LPF))、定向耦合器(Directional Coupler)

鎖相迴路(Phase-Locked Loop)、量子電腦(Quantum Computing)、極低功耗(Ultra-Low Power)

氮化鎵(GaN)、功率放大器(Power amplifiers)、J類(Class-J)、F類(Class-F)、多赫蒂(Doherty)

氮化鎵(GaN)、自熱效應(Self-heating)、模型(Modeling)、散熱(Heat)

功率放大器(power amplifier)、多赫蒂(doherty)、氮化鎵(GaN)、X波段(X-band)、sub-6GHz 波段(sub-6GHz)

鎖相迴路(PLL)、量子運算(Quantum Computing)、低功耗(Ultra-Low Power)、極低溫(cryogenic)

矽基氮化鎵(GaN-on-Si)、共面波導(CPW)、去嵌入法(De-embedding)、高頻(High-frequency)

氮化鎵(GaN)、被動元件(Passive Device)、去嵌入(De-embedding)、無金(Au-free)、可靠度分析(Reliability Analysis)

氮化鎵(GaN)、蕭特基二極體(Schottkybarrierdiode)、低頻雜訊(Vertical)、垂直式(undefined)

氧化鎵(GalliumOxide)、垂直式(Vertical)、蕭特基二極體(SchottkyBarrierDiode)、高功率(HighPower)

鎖相迴路(phase-locked loop)、次諧波倍頻(sub-harmonic)、極低功耗(ultra-low-power)、極低溫(cryogenic applications)、動態偏壓壓控震盪器(dynamic-biasing voltage-controlled oscillator)

線性調變器驅動電路(Linear modulator driver)、光連結系統(Optical interconnect system)

氮化鎵(GaN)、高頻元件(High frequency device)、高電子遷移率電晶體(Passive device)、高頻模擬(HEMTs)、被動元件(Power device)、功率元件(High frequency simulation)

矽基氮化鎵(GaN-on-Si)、高頻(high frequency)、無金(Au-free)、電感性元件(inductive devices)、被動元件(passive devices)、主動元件(active devices)

氮化鎵(GaN)、廣義回退(Doherty)、功率放大器(Generalized)

能量收集(Energy harvesting)、整流天線(Rectenna)、寬頻整流天線(Broadband rectenna)、天線(antennas)、無線電力傳輸(Wireless power transfer)、雙工整流天線(Duplexing rectenna)、大功率整流器(high-power rectifier)

高頻(High Frequency)、氮化鎵(GaN)、矽基板(Silicon Substrates)、鰭狀閘極(Fin-gate)、高電子遷移率電晶體(HEMTs)

無金製程(Au-free)、矽基板氮化鎵(GaN-on-Silicon)、接觸電阻(contact resistance)、低溫退火(low temperature annealing)、異質介面場效電晶體(HEMT)、微波(microwave)

穩定電壓(Voltage Regulation)、直流電源轉換器(DC-DC Power Converter)、調整工作週期(adjust the duty cycle)、輸出電壓經由回授自動調整(The output voltage can be regulated via feedback)、不同負載(different loads)

光纖通訊(optical communications)、轉阻放大器(transimpedance amplifier)、矽基製程(Si-based process)

功率放大器(Power Amplifiers)、傳輸線(Transmission Lines)、氮化鎵製程(GaN HEMT)

低雜訊放大器(low noise amplifier)、低功耗設計(low power design)、第五代通訊(5G)

MMIC(MMIC)、Class F(Class F)、功率放大器(Power Amplifier)、5G通訊(5G Communication)

氮化鎵(GaN)、高電子遷移率電晶體(HEMT)、脈衝量測(Pulse)、負載拉移(Load-pull)、X參數(X-parameter)

電源轉換器(Converter)、疊接反向器(cascode inverter)、壓控振盪器(voltage-controlled-oscillator)、覆晶(flip chip)、回授電路(Feedback Control Mechanism)

氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、模型建立(Modeling)、蕭特基二極體(Schottky barrier diodes)、矽基板(Silicon substrate)、截止頻率(Cut-off frequency)、電子束顯影(E-beam lithography)、指叉結構(Finger)、散射參數(Scattering parameters)、小訊號等效模型(Small-signal model)、大訊號等效模型(Large-signal model)

功率放大器(power amplifier)、毫米波積體電路(MMIC)、無線通訊(wireless communicaiton)、氮化鎵(GaN)

氮化鎵(Gallium nitride)、高電子遷移率電晶體(high-electron mobility transistors)、氮化鋁鎵(AlGaN)、Ｔ型閘極(T-shaped gate)、低阻值矽基板(Low resistivity Si substrate)

光纖通訊系統(transimpedance)、轉阻放大器(optical)、限制放大器(receivers)

光纖通訊前端電路(Optical communication front-end circuit)、分散式放大器(distributed amplifier)、調變器驅動電路(modulator driver)、寬頻放大電路(broadband circuit)

調變器驅動電路(Modulator driver)、光連結系統(Optical interconnect system)

氮化鎵(GaN)、蕭特基二極體(Low Leakage Current)、低漏電流(Low Turn On Voltage)、低導通電壓(Schottky Barrier Diodes)

相移器(Phase Shifter)、接收器(Receivers)

氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(Low-resistivity silicon substrate)、低阻值矽基板(AlGaN)、截止頻率(HEMT)、震盪頻率(maximum oscillation frequency)、高電子遷移率電晶體(undefined)

光通訊(optical communication system)、轉阻放大器(transimpedance amplifier)、光調變器驅動器(modulator driver)、分散式放大器(distributed amplifier)

功率放大器(Power amplifier)、傳輸線型互感(Transmission line transformer)、高功率(CMOS)

功率轉換器(DC/DC-Converter)、特高頻(VHF)、諧振式逆變器(Resonant-Inverters)

氮化鎵(GaN)、氮化鋁銦(InAlN)、氧化鋁(Al2O3)、高電子遷移率電晶體(HEMT)、崩潰電壓(Breakdown)

電源轉換器(resonant power converter)

光通訊模組(optical module)、轉阻放大器(TIA)、雷射驅動器(laser diode driver)、調變驅動器(modulator driver)

全雙工無線傳收機(full-duplex radio)、類比干擾消除晶片(analog echo cancellation circuits)、相移器(phase shifter)、衰減器(attenuator)、3-D電感(3-D inductor)

分散式放大器(Distributed amplifier)、調變器驅動電路(Modulator driver)、雷射二極體驅動電路(Laser diode driver)、光連結系統(Optical interconnect system)、三維電感(3D inductor)

正交頻分複用技術(OFDM)(Orthogonal frequency-division multiplexing (OFDM))、高速I/O介面(High-speed I/O Interface)、發送端(Transmitter)、接收端(Receiver)、正交相移鍵控(QPSK)(Quadrature phase-shift keying (QPSK))、整合型被動元件(IPD)(Integrated Passive Device (IPD))

高頻功率轉換器(VHF Power Converter)

鎖相迴路(Phase-Locked Loop)、壓控震盪器(Voltage Controlled Oscillator)、時間數位轉換器(Time to Digital Converter)、時間放大器(Time Amplifier)、全雙功收發機(Full Duplex Radio Transceiver)

氮化鎵(GaN)、蕭特基二極體(Schottky barrier diode)、氮氣電漿處理(nitrogen plasma treatment)、雙金屬陽極(dual metal andoe)

蕭特基二極體(schottky diode)、陽極掘入(anode recess)、氮化鋁鎵/氮化鎵(AlGaN/GaN)

氮化鎵(GaN)、表面漏電流(Surface leakage current)、蕭基特二極體(Schottky barrier diodes)

氮化鎵(GaN)、氮化銦鋁/氮化鎵(InAlN/GaN)、高電子遷移率電晶體(HEMT)、矽基板(Silicon Substrate)、高頻(high frequency)

矽基氮化銦鋁/氮化鎵(InAlN/GaN)、高電子遷移率電晶體(HEMTs)、矽基氮化鋁鎵/氮化鎵(AlGaN/GaN)、蕭特基二極體(SBDs)、高功率(high power applications)

高電子遷移率電晶體(HEMTs)、蕭特基二極體(Schottky diode)、混合電極(Hybrid electrode)、鍺擴散(Ge diffusion)、氮化鋁鎵/氮化鎵(AlGaN/GaN)

低雜訊放大器(LNA)、降頻器(MIXER)、中頻放大器(IFA)、射頻接收機(RX)、功率放大器(PA)

轉阻放大器(Transimpedance amplifier)、限制放大器(Limiting amplifier)、光通訊系統(Optical communication system)、三維電感(Three-dimensional inductor)、RGC電流緩衝器(RGC current buffer)、RTRN技術(RTRN technique)

氮化鎵(GaN)、蕭特基二極體(SBD)

氮化鋁基板(AlN substrates)、整合型被動元件(Integrated Passive Devices)

壓控振盪器(VCO)、OOK調變(OOK)、可變電容(varactor)、發送機(transmitter)

轉阻放大器(Transimpedance amplifier)、調變器驅動電路(Modulator driver)

等化器(Equalizer)、適應性偏壓(Adaptive Bias)

毫米波(millimeter wave)、除頻器(frequency divider)、壓控振盪器(voltage-controlled oscillator)、收發機(transceiver)

射頻接收器(RF Receiver)、頻率合成器(Synthesizer)

被動濾波器(pasive filter)、高速資料傳輸(3D-IC)、主動式(High Speed Data Transmission)、等化器(Active)、三維電感(Equalizer)、有線資料傳輸(High Speed Data Transmission, Three-dimensional Inductor, Wireline data transmission system.)

低雜訊放大器、混頻器、平衡器、相移器

轉阻放大器、調變器驅動電路、限制放大器、STDM交換機、光連結系統、圖騰柱輸出級、ESD電路、CML電路

金氧半場效電晶體(CMOS)、功率放大器(Power amplifier)、K頻帶(K-band)、W頻帶(W-band)、微波單晶積體電路(Monolithic microwave integrated circuit (MMIC))