鈣鈦礦氧化物(perovskite oxide)、化學溶液沉積法(CSD)、鐵酸鋇(barium ferrite)、薄膜(thin film)、磊晶(epitaxy)、鐵磁絕緣(FMI)

無機鹵素鈣鈦礦(Inorganic halide perovskite)、大氣製程(Ambient process)、薄膜製程(Thin film process)、非線性光學元件(Nonlinear emission)

電泳沉積(Electrophoretic deposition)、金奈米粒子陣列(Gold nanoparticle array)、局域性表面電漿共振(Localized surface plasmon resonance)、表面晶格共振(Surface lattice resonance)

二硫化鎢(WS2)、介面鐵電(interfacial ferroelectricity)、鐵電性(ferroelectricity)、二維材料(2Dmaterials)、化學氣象沉積(Chemical vapor deposition)、壓電力顯微鏡(PFM)

二硫化錸(rhenium disulfide)、化學氣相沉積法(chemical vapor deposition)、硫化鈉(sodium sulfide)、鐵電(ferroelectricity)、半導體(semiconductor)、鹽(salt)

多層堆疊(Multilayer-stacking)、二硫化鉬(MoS2)、非對稱性結構(broken symmetry)、化學氣象沉積法(CVD)、氣液固相生長法(VLS)

鈣鈦礦(Perovskite)、磊晶成長(Epitaxy growth)、磁性(Magnetic)

鹵化物鈣鈦礦(perovskite)、中間相(Intermediate)、相分離(phase seperation)、薄膜(film)

超導(Superconductivity)、耦合常數(Coupling)

二硫化鉭(Tantalum disulfide)、磊晶成長(epitaxial growth)、化學氣相沉積(chemical vapor deposition)、電荷密度波(charge density wave)

量子光學(Quantum Optics)、非線性(Nonlinearity)、二維材料(Two Dimensional Materials)、單光子光源(Single photon emitter)

二維材料(two-dimensional material)、電子元件(electronic device)、光電元件(optoelectronic device)、二硫化鉬(molybdenum disulfide)、介面調控(interface engineering)

化學氣相沉積法(chemical vapor deposition)、二維材料(two-dimensional materials)、過渡金屬硫屬化物(transition metal dichalcogenides)、鹽促進劑(salt assistant)、氣-液-固生長(vapor-liquid-solid)、二硫化鎢(WS2)、二硒化鎢(WSe2)、二碲化鎢(WTe2)

過渡金屬二硫化物(transition metal dichalcogenides)、凡得瓦磊晶(van der Waals epitaxy)、化學氣相沉積法(chemical vapor deposition)

硒化鈷(cobalt selenides)、化學氣相沉積法(chemical vapor deposition)、尺寸調控(size scaling)

二維材料(2D materials)、立體結構(3D architecture)、控制反應(controlled reaction)、多孔結構(porous structure)、空孔結構(hollow structure)

奈米金陣列(Au nanoparticles array)、氮化硼(Boron Nitride)、量子光源(Quantum Emitters)

新穎鐵電材料(Novel ferroelectric materials)、參雜型二氧化鉿(doped-HfO2)、超平整介面(ultraflat surface)、二維材料(heterostructure)、異質整合(TMDs)、放光調控(undefined)

二維半導體(two-dimensional semiconductors)、晶圓級(scalable)、低功耗(low power consumption)、奈米元件(nanoelectronics)、異質互補式邏輯閘(hetero-CMOS logics)

二維材料(2D materials)、電晶體(field-effect transistors)、金屬-半導體接面(contact)、費米能階釘札效應(Fermi-level pinning)、蕭特基能障(Schottky barrier height)

鐵酸鉍薄膜(BiFeO3 films)、溶液凝膠法(sol-gel method)、製程(process)、漏電流(leakage)、電滯曲線(P-E Curve)

掃描探針顯微術(scanning probe microscopy)、微區分析(local analysis)、二維材料(two-dimensional materials)

二維材料(two dimensional materials)、二硒化鎢(tungsten diselenide)、異質整合(heterogeneous integration)、無機鹵素鈣鈦礦(inorganic halide perovskite)

二維材料(2D-materials)、莫瑞圖紋(Moiré)、堆疊(stacking)、掃描穿隧式電子顯微鏡(STM)、電子結構(electronic structure)

表面電漿共振(Localized Surface Plasmon Resonance)、奈米金屬(Nanometal)、過渡金屬二硫族化物(Transition Metal Dichalcogenides)、強交互作用(Strong Coupling)、單晶(Single Crystal)、陣列(Array)

磁性材料(magnetic materials)、二維材料(2D materials)、奈米材料(nanomaterials)、過渡金屬二硫族化物(transition Metal dichalcogenides)

二維材料(2D materials)、過渡金屬硫族化合物(TMD)、摻雜(Doping)、物理特性(Physical properties)、生長機制(Growth Mechanism)

二維材料(2D materials)、過渡性金屬硫族化物(transition metal dichalcogenide)、化學氣相沈積法(chemical vapor deposition)、水平式異質結構(lateral heterostructure)、垂直式異質結構(vertical heterosructure)、轉移(transfer)

二維材料(2D Materials)、掃描穿隧顯微術(Scanning Tunneling Microscopy)、凡德瓦異質結構(Van der Waal heterostructures)、莫列波紋(Moiré pattern)

二維材料(2D material)、二硫化鎢(Tungsten Disulfide)、化學氣相沉積法(CVD)

二維材料(TMDs)、化學氣相沉積法(STM)、掃描穿隧顯微術(CVD)

二維材料(2D material)、二碲化鎢(WTe2)、磁阻(magnetoresistance)

近場光學(near field optical microscopy)、側向異質接面(lateral heterojunction)、二維材料(2D materials)

二碲化鎢(Tungsten Ditelluride)、化學氣相沉積法(CVD)、磁阻(undefined)

二硫化鉬(MoS2)、奈米碳管(carbon nanotube)、場效電晶體(field-effect transistor)、電漿共振(plasmon resonance)、場發射(field emission)、異質結構(heterostructure)、三維晶片(three-dimensional integrated circuit)

金屬(metal)、奈米材料(nanomaterials)、還原反應(reduction reaction)、合成(synthesis)、動力學(kinetics)

過渡金屬硫族化合物(Transition Metal dichalgenide)、化學氣相沉積(Chemical vapor deposition)

二維材料(two-dimensional material)、光電特性(optoelectronics)

二維材料(two-dimensional material)、掃描穿隧顯微術(STM)

二維材料(2-d material)、異質結構(Tungsten disulfide)、二硫化鎢(lateral heterostructure)

過渡金屬硫族化合物(Transition Metal dichalgenide)、異質結構(heterostructures)

二硫化鉬(Molybdenum disulfide)、化學修飾(functionalization)、羅丹明B(Rhodamine B)、二甲基甲醯胺(Dimethylformamide)、P型(p doping)、N型(n doping)

鋅空氣電池(Zinc-air battery)、三維電極(3D electrode)、電解質添加劑(electrolyte additives)、多孔結構(porous structure)

二維材料(2D materials)

二硫化鉬(MoS2)、光感測(photodetection)

過渡金屬硫屬化合物(Transition Metal Dichalcogenides)、二維材料(2DMaterial)、異質結構(Heterostructure)、轉移(Transfer)、二次諧振波(Second Harmonic Generation)

二硒化鉬(MoSe2)、化學氣相沉積法(chemical vapor deposition (CVD) method)