非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory)、電阻式記憶體(Resistive Random-Access Memory)、三維記憶體(RRAM)、鰭式場效電晶體(3D memory)

低電壓(Low-Voltage)、高密度(High-Density)、金屬熔絲(Metal-Fuse)、一次性寫入(One-Time-Programmable)、記憶體(Memory)、元件(Cell)

嵌入式電容器(Embedded Capacitor)、奈米針型陣列電容器(Via Pin Array Capacitor (VPAC))、互補式金氧半鰭式場效電晶體(CMOS logic FinFET)、金屬-氧化物-金屬電容器(Metal-Oxide-Metal Capacitors)、互補式金氧半後端製程(CMOS BEOL technologies)

電阻式記憶體(RRAM)、類神經運算(Neuromorphic Computing)、記憶體內運算(Computing in Memory)、馮紐曼瓶頸(Von Neumman Bottleneck)、邏輯閘(Logic Gate)、三維可堆疊(3D Stackable)

無線氣體感測器(wireless gas sensor)、室溫環境量測(room temperature measurement)、無線感測(wireless sensing)、振盪器(oscillator)、高敏感度(high sensitivity)、浮動閘極元件(floating-gate field-effect-transistor)、多重氣體量測(multiple gas sensing)、互補式架構(complementary scheme)

電阻式記憶體(RRAM)、鎖存器(latch)、記憶體內運算(Computing In Memory)、類神經網絡(Neural Network)

深紫外光(DUV)、極紫外光(EUV)、感測器(Sensor)

標準邏輯製程(CMOS standard process)、MOM耦合電容(MOM coupled-capacitance)、浮動閘極(Floating gate)、可垂直電子束偵測(Vertical-sening e-Beam detector)

電阻式記憶體(RRAM)、鎖存器(latch)、記憶體內運算(Computing In Memory)、類神經網絡(Neural Network)

鐵電(Ferroelectric)、記憶體(memory)、氧化鋯鉿(HfZrOx)、可靠度(Reliability)、工程(Engineering)

鰭式場效電晶體(FinFET)、可多次寫入記憶體(Multiple-Time Programmable Memory Cell)、邏輯非揮發性記憶體(Logic non-volatile memory)、接觸槽耦合(Slot Contact Coupling)、N型井耦合(N-well Coupling)、嵌入式非揮發性記憶體(Embedded non-volatile memory)

電阻式記憶體(Resistive Random Access Memory)、鰭式電晶體邏輯製程(FinFET COMS Logic)、記憶體邏輯閘(Memristor Ratioed Logic)

電子束偵測元件(eBeam Detector)、浮動閘極電晶體(Floating Gate Transistor)、掃描式電子束顯微鏡(SEM)

電漿感應損害(Plasma Induced Damage)、電漿感應充電效應(Plasma Induced Charging Effect)、電漿製程(Plasma Process)

鰭式場效電晶體(Fin-shaped Field Effect Transistors (FinFET))、電漿感應電荷(Plasma Induced Damage (PID))、後段製程(Back-End-of-the-Line (BEOL))、浮動閘極記憶體(Floating Gate (FG) Memory)、FN穿隧(FN tunneling (FNT))

電阻式記憶體(Resistive Random Access Memory)、邏輯嵌入式記憶體(FinFET Logic Compatible)、物理不可複製函數(Physical Unclonable Function)

電阻式記憶體(RRAM)、變異性(Variability)、元件可靠度(Reliability)、讀取干擾(Read Disturb)、逐步增加脈衝(ISPP)、佔空比(Duty Cycle)

離子感測器(Ion Sensor)、校正方案(Calibration Scheme)、邏輯製程(CMOS Compatible)、鰭式場效電晶體(FinFET)

飛時測距(Time-of-Flight)、主動式感測器(Active-Pixel-Sensor)

多層式儲存單元(MLC)、非揮發性記憶體(NVM)

非揮發性記憶體(non-volatile memories)、浮動閘極(floating gate)、鰭式場效電晶體(FinFET)、耦合(Coupling)、自我修復(Self-Recovery)

隨機電報雜訊(RTN)、電阻式記憶體(RRAM)、退火(Annealing)

鰭式場效電晶體(FinFET)、P型(P-channel)、差動式(Differential)、可多次(Multiple-Time)、寫入(Programmable)、側向(Laterally)、耦合(Coupled)

隨機性(Randomness)、隨機電報雜訊(RTN)、電阻式記憶體(RRAM)、物理不可複製函數(PUF)

非揮發性記憶體(NVM)、反熔絲型(anti-fuse)、鰭式電晶體(FinFET)、一次性寫入記憶體(OTP)、介電層崩潰(dielectric)

電漿感應損害(plasma induced damage)、鰭式電晶體(FinFET)、天線效應(Antenna Effect)

邏輯元件(Logical Device)、非揮發性記憶體(Nonvolatile Memory)、鰭式電晶體(FinFET)、高介電質介電層崩潰(High-k Dielectric Breakdown)、一次性寫入記憶體(One-Time Programmable Memory)、反熔絲(Antifuse)

分離閘快閃記憶體(Split gate flash)、源極電子注入(Source Side Injection)、非揮發內嵌式記憶體(Non-volatile Embedded Memory)、陣列測試晶片(Array Test Chip)

鰭式電晶體(FinFET)、電阻式記憶體(Slot Contact RRAM)、接觸點(RRAM)

電漿損害(Plasma induced damage)、天線效應(antenna effect)、接觸槽耦合(contact slot coupling)

非揮發性記憶體(Nonvolatile Memory)、一次性寫入記憶體(One-Time Programmable Memory)、反熔絲(Antifuse)、高介電質介電層崩潰(High-k Dielectric Breakdown)、鰭式電晶體(FinFET)

類比記憶體(Analog Memory)

鰭式電晶體(FinFET)、記憶體(Memory)、電阻式記憶體(RRAM)

三維積體電路、訊號傳輸、三維堆疊、磁性穿隧介面

鰭式電晶體(FinFET)、寄生電阻(Parasitic Resistance)、電流壅塞(Current Crowding)、凱文結構(Kelvin Structure)

非揮發性記憶體(Nonvolatile Memories (NVMs))、自我對準氮化矽(Self-Aligned Nitride (SAN))、邏輯製程相容(Logic Compatible)、嵌入式記憶體(Embedded NVMs (eNVMs))

非揮發性記憶體、一次性寫入記憶體、反熔絲、高介電質介電層崩潰

電阻式記憶體、混合式記憶體、懸浮閘記憶體、高密度儲存

電阻式記憶體、邏輯製程相容

電阻式隨機存取記憶體、自我整流、電阻式記憶體陣列、連通管原理

邏輯製程(HKMG)、靜態隨機存取記憶體(CMOS logic process)、製程變異(SRAM)、邏輯相容非揮發性記憶體(process variation)

電阻式隨機選取記憶體(RRAM)

電阻式記憶體、低頻雜訊、雜訊產生器

新型邏輯相容水平導通電橋記憶體(A New Lateral Conductive Bridge Random Access Memory by Fully CMOS Logic Compatible Process)