超快光學(ultrafast)、鈦藍寶石雷射(Ti:Sapphire laser)、雷射剝蝕(laser ablation)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、氮化鋁(Aluminum nitride)、雷射光強分布(laser beam profile)、成像式顯微鏡(imaging microscope)

量子井混合(noise-like pulse(NLP))、似噪音脈衝(quantum-well intermixing(QWI))、光纖雷射(laser annealing)、雷射退火(fiber laser)

超快光學(Ultrafast optic)、鎖模脈衝(Mode-locked pulse)、光纖雷射(Fiber laser)、似噪音脈衝(Noise-like pulse)

高功率雷射二極體(high-power laser diode)、體積布拉格光柵(volume Bragg grating)、光纖雷射(fiber laser)

掃描穿隧顯微鏡(scanning tunneling microscopy)、矽(silicon)、鋁(aluminum)、二維材料(2D Material)、真空系統(vacuum system)

表面物理(Al on Si(111))、氧吸附在矽(111)(Oxygen on the Si(111))、鋁薄膜成成長(Si(111) 7x7)、掃描穿隧式電子顯微鏡(STM)、真空系統(Al film growth)

電荷密度波(charge density waves)、超導銅氧化物(superconducting cuprate)、聲子激發態(phonon excitations)、共振非彈性散射(resonant inelastic X-ray scattering)

自旋解析(Spin-resolved)、角解析光電子能譜(ARPES)、二碲化鈀(PdTe2)

掃描穿隧顯微鏡(Scanning Tunneling Microscopy (STM))、物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition (PVD))、分子束磊晶(Molecular Beam Epitaxy (MBE))、磊晶薄膜成長(Epitaxial Growth of Thin Film)、化學蝕刻(Etching)、濺鍍(Sputtering)、熱退火(Annealing)、介面結構(Interface Structure)、超導體(Superconductor)、高溫超導體(High-temperature Superconductor)

掃描穿隧顯微鏡(Scanning tunneling microscopy)、鈦酸鍶(SrTiO3)、硒化鐵(FeSe)、分子束磊晶(Molecular Beam Epitaxy)、鐵基超導體(Iron-based superconductor)

自旋角解析光電子能譜(SARPES)、拓樸絕緣體(topological)

三五族半導體(STM)、拓樸絕緣體(XPS)

矽烯(silicene)、二維材料(2D materials)、掃描穿隧式顯微鏡(STM)、Ag(111)(銀(111))、Al(111)(鋁(111))、Au(111)(金(111))

矽(111)(Si(111))、鉍(Bi)

過渡金屬二硫族化合物(Transition Metal Dichalcogenide)、二維材料(heterojunction)、異質接面(TiTe2)、二鍗化鈦(TiSe2)、二硒化鈦(STM)、掃描穿隧顯微術(Molecular Beam Epitaxy)、分子束磊晶(MBE)、橫向應變(Single-layer)、晶格失配(Dislocation)、錯位核心(Lattice misfit)

X光激發電子顯微術(X-ray photoemission electron microscope(PEEM))、影像解析度(image resolution)、數值模擬(numerical simulation)

二硒化鎢/雙層石墨稀加熱引發的結構變化(Annealing Effects of Tungsten-Diselenide on the Bilayer Graphene Surface)、二硒化鎢(Tungsten-Diselenide)、過渡金屬二硫族化合物(transition metal dichalcogenides)、邊緣態(TMD)

鉭矽化物(Tantalum silicides)

溫度(temperature)、氘(deuterium)、氫(hydrogen)、鍺(100)(germanium(100))、熱脫附(thermal desorption)、雷射加熱(laser heat)

拓樸絕緣體(Topological insulator)、單層鉍雙層(Bi-bilayer)

鉍化銦(InBi)、矽(111)(Si(111))、X-ray光電子能譜技術(X-ray photoemission spectroscopy)、掃描式穿隧電子顯微術(Scanning tunneling microscopy)、鉍(Bi)、銦(In)

熱電材料(Thermoelectric material)、薄膜(Thin film)、3 omega熱傳導量測(3 omega thermal conductivity measurement)、非均向性(anisotropy)、電流輔助退火(electrical stress)

銻化銦(InSb)、鍺(111)(Ge(111))、異質磊晶(heteroepitaxy)、Ⅲ-Ⅴ族半導體(Ⅲ-Ⅴ semiconductor)、銻(Antimony)、銦(Indium)

拓樸絕緣體(topological insulator)、量子自旋霍爾效應(quantum spin Hall effect)、鍺(111)(Ge(111))、鉍化鎵(GaBi)、鉍(Bismuth)、鎵(Gallium)

矽晶片(Silicon wafer)、放射率(Emissivity)、紅外線熱像儀(Thermal camera)

矽烯(Silicene)、多層(Multilayer)、氘(Deuterium)、掃描穿隧顯微術(STM)

拓樸絕緣體(topological insulator)、鉍雙層(Bi2Se3)、氘原子(Bi bilayer)

雷射加熱(laser)、銻(Sb2)、鍺(Ge(100))、擴散(diffusion)