電橋式記憶體(Conductive-Bridge Random Access Memory (CBRAM))、電阻式記憶體(Resistive Random Access Memory (RRAM))、加凡尼反應(Galvanic Reaction)、高能量輻射(High-Energy Irradiation)、電流傳導機制(Current Conduction Mechanism)、氮化鎵高電子遷移率電晶體(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors (GaN HEMT))、氫擴散(Hydrogen Out-Diffusion)

薄膜電晶體(thin-film transistor (TFT))、銦鎵鋅氧(indium–gallium–zinc oxide (IGZO))、低溫多晶矽(low-temperature polysilicon (LTPS))、熱載子效應(hot-carrier)、負偏壓照光不穩定性(negative bias illumination stress)、正偏壓不穩定性(positive bias stress)、水氣(moist environment)、自熱效應(self-heating stress)、可撓(flexible)、機械應力(mechanical bending)

穿隧式電荷捕捉記憶體(charge-trapping memory)、電荷捕捉記憶體(tunneling-based charge-trapping memory)、蕭特基能帳穿隧(source-side injection)、能帶間量子穿隧(schottky barrier tunneling (SBT))、穿隧電晶體(tunnel field-effect transistors (TFETs))、源極側注入(undefined)

二維材料(Two-dimensional materials)、硒化銦(Indium selenide)、神經突觸(Synapse)

電荷捕捉記憶體(charge-trapping memory)、鍺基(Si-body)、矽基(Ge-body)、源極注入(source-side injection)、汲極注入(drain-side injection)、蕭特基穿隧(Schottky barrier tunneling (SBT))、低壓操作(ultralow-voltage applications)、穿隧電晶體(tunnel field-effect transistors (TFETs))、非對稱無接面穿隧電晶體(asymmetric junctionless TFETs (AJ-TFETs))、金屬源極的穿隧電晶體(metal source TFETs (MS-TFETs))

二維材料(Two-dimensional material)、亞鐵電負電容電晶體(Ferrielectric NC-FET)、電容匹配(Capacitance matching)、模擬(Simulation)

鍺互補式金氧半電晶體(Ge CMOS)、閘極介面工程(Gate stack engineering)、超臨界氧化(Supercritial Fluid treatment)、電荷汲引技術(Charge pumping)

二維材料(two-dimensional materials)、類突觸電晶體(synaptic transistors)、硒化銦(indium selenide)、類神經網路(artificial neural network)

鍺電晶體(Ge MOSFET)、輻射傷害(Radiation Damage)、可靠度(Reliability)、負偏壓溫度不穩定性(NBTI)

二維材料(2D Material)、負電容(Negative Capacitance)、亞鐵電材料(Ferrielectric Material)、介面缺陷分析(Dit)、負電容模擬(Simulation)

二維材料(Two dimensional materials)、二硫化鉬(MoS2)、六方氮化硼(hBN)、電子遷移率(Mobility)

二硒化錸元件(ReSe2 Devices)、仿神經運算(Neuromorphic Computing)、二維材料(2D materials)、雙極性(ambipolar)、非揮發記憶體(NVM)、突觸元件(synaptic device)

平面場效電晶體(MOSFETs)、鰭式場效電晶體(FinFETs)、熱載子(Hot Carriers)、陽極電洞注入(Anode Hole Injection)、氧空缺(Oxygen Vacancy)

二維材料(2D materials)、二硫化鉬(MoS2)、光偵測器(ReSe2)、二硒化錸(TFET)、穿隧電晶體(memory)、非揮發性記憶體(sensor)

二維材料(Two-dimensional materials)、硒化銦(Indium Selenium)、非揮發性記憶體(Non-volatile memory)、接觸電阻(contact resistance)、遲滯現象(Hysteresis)

雙閘極結構(Double gate)、蕭特基能障(Schottky barrier)、熱電子注入(Hot electron injection)、矽鍺(SiGe)

二硒化鎢(WSe2)、石墨烯(graphene)、接觸電阻(contact resistance)、氫氣環境退火(anneal in hydrogen environment)

負電容(Negative capacitance)、二硫化鉬(Molybdenum Disulfide)

超高壓功率元件(UHV LDMOS)、橫向擴散金氧半場校電晶體(Multi RESURF)、多層RESURF(Power Device)

電阻式記憶體(RRAM)、金銀合金電極(Au-Ag alloy)、加凡尼反應(Galvanic effect)、固態電解質(Solid electrolyte)

鰭式場效電晶體(FinFET)、短通道效應(Short channel effect)、寄生電容(Parasitic capacitance)、寄生電阻(Parasitic resistance)

石墨烯(graphene)、二硒化鎢(tungsten diselenide)、場效電晶體(transistor)、異質結構(heterostructure)、二維材料(two-dimensional material)

隨機電報雜訊(RTN)、隨機亂數產生器(ID fluctuation)、汲極電流擾動(Vt variation)、臨界電壓變動(random number generator)

隨機電報雜訊(Random Telegraph Noise)、缺陷陷阱(trap)、可靠度(reliability)、鰭式場效電晶體(FinFETs)

魚鰭式場效電晶體(FinFET)、寄生電容(Parasitic Capacitance)、寄生電阻(Parasitic Resistance)、電阻電容時間常數(RC Time constant)

鰭式電晶體(FinFET)、場效電晶體(MOSFET)、短通道(Hot carrier)、熱載子(Short Channel)、退化(Reliability)、可靠度(Degradation)、隨機電報(RTN)

鰭式場效電晶體(FinFETs)、可靠度(reliabilities)、時依性介電層崩潰(time dependent dielectric breakdown(TDDB))、負偏壓溫度不穩定性(negative bias temperature instability(NBTI))、應力導致漏電流(stress induced leakage current)

二維材料(2D material)、二硒化鎢(Graphene)、石墨烯(Tungsten Diselenide)、化學氣相沉積(CVD)、接觸電阻(contact resistance)

鍺源(Germanium Source)、閘極重疊結構(Gate Overlap Structures)、次臨限擺幅(Subthreshold Swing)、對帶穿透效應(Band-to-band Tunneling)、低帶隙材料(Low Bandgap Material)、穿隧電晶體(Tunnel Field-Effect Transistors)

穿隧電晶體(Tunnel Field-Effect Transistors)、能帶間穿隧(Band-to-Band Tunneling)、蕭特基能障穿隧(Schottky Barrier Tunneling)、金屬源極(Metal Source)、穿隧介電層(Tunneling Dielectrics)

電荷捕捉式快閃記憶體(Charge Trap Flash Memory)、奈米線(Nanowire)、蕭特基能障(Schottky Barrier)

電阻式記憶體(RRAM)