二維材料(two dimensional materials)、二硫化鎢(WS2)、蕭特機能障(Schottky Barrier)、雙閘極元件(Dual-Gate transistors)

二硒化鎢(WSe2)、上閘極元件(top gate device)、二維材料(Buffer Layer)、P型元件(dual gate device)、介電緩衝層(P-type device)、雙閘極元件(2D material)

二維材料(2D material)、三維積體電路(Monolithic 3DIC)、異質整合技術(Heterogenneous Integration)

過渡金屬二硫族化物(transition metal dichalcogenides)、異質結構(heterostructure)、蕭特基能障(schottky barrier)、改善接觸能障(Improve contact barrier)

二維材料(2D material)、二硒化鎢(Tungsten Diselenide)、摻雜(doping)、接觸電阻(contact resistance)、紫外光臭氧處理(UV-Ozone treatment)、場效電晶體(Field-Effect Transistors)

二維材料(2D Material)、硒氧化鉍(Bi2O2Se)、場效電晶體(Field-effect transistor)、金半接觸(Metal/semiconductor Contact)、接觸電阻(Contact Resistance)

硒氧化鉍(Native Oxide Gate Dielectric)、高載子遷移率二維場效應電晶體(Bismuth Oxyselenide)、原生閘極氧化層(undefined)、介面缺陷(undefined)

二維材料(two-dimensional materials)、凡得瓦異質結構(van der Waals heterostructure)、二硒化錸(rhenium diselenide)、雙極性(ambipolar)、非揮發性記憶體(non-volatile memory)、懸浮閘極(floating gate)、電荷捕捉(charge trap)、光致摻雜(photo-induced doping)、可重新配置場效電晶體(reconfigurable FET)、突觸可塑性(synaptic plasticity)、赫本學習(Hebbian learning)、圖像辨識(image recognition)、邏輯閘(logic gate)

二維材料(2D material)、原子層沉積(Atomic layer deposition)、二維摻雜(2D doping engineering)、光偵測器(Photodetector)、非揮發性記憶體(Non-volatile memory)、溝渠填補(Gap-fill)

雙面結構MoSSe(Janus MoSSe)、鐵電薄膜(HZO Ferroelectric Thin Films)

硒氧化鉍(Bi2O2Se)、二維材料(2D material)、金半接觸(Metal/Semiconductor Contact)、接觸電阻(Contact resistance)、半導體(Semiconductor)、遷移率(Mobility)

過渡金屬二硫族化物(transition metal dichalcogenides)、光偵測器(photodetector)、高光響應(high responsivity)、異質接面(heterojunction)

雙閘極(Double-gate)、微量量測(Micro-measurement)、離子感測電晶體(ISFET)、微型參考電極(Tiny reference electrode)、二硫化鎢(undefined)

奈米鉑(nano-platinum)、氮摻雜(nitrogen doped)、石墨烯(graphene)、氫氣儲存(hydrogen storage)、電化學(electrochemical)

電阻式記憶體(RRAM)、共濺鍍系統(Co-sputtering)、無電鑄操作(Forming-free)、銅團簇(Cu-clusters)

摻雜(Doping)、選區(Site-selective)、二維材料(2D materials)、過渡金屬二硫族化物(TMDs)、接觸電阻(Contact resistance)、氫電漿(Hydrogen plasma)

二維材料(2D material)、二硫化鎢(Tungsten disulfide)、鐵電材料(Ferroelectric material)、記憶體(Memory)

二維半導體(2D material)、過渡金屬硫屬化物(TMDC)、原子置換(substitution doping)、摻雜(contact)、金半特性(undefined)

石墨烯片(Graphene sheets)、G/MnO2/WO3(G/MnO2/WO3)、N-MoSe2/G composite(N-MoSe2/G composite)、電漿電化學法(Plasma-induced exfoliation)、超級電容(supercapacitor)、產氫反應(hydrogen evolution reaction)

電漿輔助硒化(Plasma-assisted Selenization)、二硒化錫(Tin diselenide)、高靈敏(Highly Sensitive)、室溫(Room temperature)、二氧化氮(Nitrogen Dioxide)、氣體感測器(Gas sensor)

二硫化鉬(MoS2)、電晶體(transistor)、平整性(wrinkle-less)、轉移(transfer)、二維材料(2D)、化學氣象沉積(CVD)

石墨烯(Graphene)、光偵測器(photodetector)、異質結構(heterostructure)、二維材料(WS2)、二硫化鎢(WSe2)、二硒化鎢(undefined)

二維材料(2D material)、二硫化鎢(Tungsten disulfide)、二硒化鎢(Tungsten diselenide)、非揮發性記憶體(Non-Volatile)

二硫化鎢(tungsten disulfide)、二硒化鎢(tungsten diselenide)、二維材料(Two-dimensional materials)、光偵測器(photodetectors)

二維材料(2d material)、吸附原子(adatoms)、實時影像(in-situ image)、掃描穿透式顯微鏡(STEM)

電子束微影(transistor)、電晶體(electron beam lithography)、二硒化鎢(Tungsten Disulfide)、二硫化鎢(Tungsten Diselenide)

硒化銦(InSe)、場效電晶體(field-effect transistor)、非揮發(non-volatile)、記憶體(memory)

原子層沉積(atomic layer deposition)、金屬鈷(cobalt)、紫外光(Ultraviolet light)、低溫(low temperature)、三羰基亚硝酰基钴(Co(CO)3NO)

二硫化鎢(Tungsten disulfide)、末端接觸(End－bonded contacts)、蕭特基能障(Schottky barrier)

三硒化二銦(In2Se3)、光響應度(Responsivity)

表面結構(Surface Texture)、太陽能電池(Solar Cell)

二维半导体(2D semiconductor)

噴墨印刷技術(ink-jet print)

離子感應場效電晶體(ISFETs)、感測器(pH sensor)、奈米壓印(NIL)、奈米機電製程(NEMS)、奈米線(Nanowires)

硒化銦(InSe)、光電特性(eletro-optical properties)、場效電晶體(field-effect transistors)

硒化銦(Indium Selenide)、場效電晶體(Field-effect-transistor)、表面氧化(Surface oxidation)

二維(two dimensional)、石墨烯(graphene)、二硫化鎢(TMD)、光偵測器(photodetectors)、銦吸附原子(In adatoms)、超快響應(ultrafast response)

過渡金屬硫族化物(TMD)、場效電晶體(field-effect transistor)、末端接觸(end contact)、上接觸(top contact)

凡得瓦磊晶(van der Waals epitaxy)、複雜性氧化物(complex oxides)、可撓式(flexible)、脈衝雷射沈積(pulsed laser deposition)

內連線(Interconnect)、化學氣相沉積(CVD)、電流密度(resistance)、電阻(current density)

化學氣相沉積法(CVD)、大面積(Large-Area)、二維材料(TMDC)

雜質致失序(Impurity-induced layer disordering)、半導體雷射元件(Semiconductor laser devices)、量子井混合(Quantum-well intermixing)、鍺擴散(Ge diffusion)、砷化鎵(GaAs)

熱列印頭(Thermal head)、射頻濺鍍(RF-sputter)

雷射二極體(laser diode)、砷化鎵(GaAs)、大光腔(large optical cavity)、低電流注入區(current blocking region)、808(808)

二維材料(2D-materials)、硒化銦(InSe)、三硒化二銦(In2Se3)、光電效應(Photoresponse)、場效電晶體(FET)

費米能階釘札(Fermi Level Pinning)、二鎢化硒(WSe2)、蕭特基能障(Schottky barrier)

過渡金屬二硫族化物(TMDCs)、二硒化鎢(WSe2)、二硫化鎢(WS2)、異質接面(Heterojunctions)、頂閘極場效電晶體(Top gate FET)

二硫化鉬(MoS2)、二硫化鎢(WS2)

石墨烯(graphene)、化學氣象沉積(CVD)、奈米(nano)、光感測器(photodetector)、氧化(oxidation)

石墨烯(graphene)、銅內連線(copper interconnect)、內連線(interconnect)、銅(copper)、電子迴旋共振化學氣相沉積法(ECR-CVD)、實驗計畫法(design of experiments)

二硒化鎢(WSe2)、硒化(Selenization)、場效電晶體(Chemical Vapor Deposition)、化學氣相沉積(Field Effect Transistor)

過渡金屬二硫族化物(TMDCs)、二硒化鎢(WSe2)、金屬接觸(Metal contact)、傳輸線模型(TLM)、接觸區域圖紋化(Contact area patterning)

過渡金屬二硫族化物(TMD)、二硒化鎢(WSe2)、點缺陷(Point defect)、晶界(Grain boundary)、載子傳輸(Electrical transport)

二硒化鎢(Tungsten Diselenide)、摻雜(Doping)

石墨烯(Graphene)、透明導電膜(Transparent conductive films)、觸控技術(Touch Technology)、觸控面板(Touch Panel)

二硒化鎢(WSe2)、化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition)、場效電晶體(Field Effect Transistor)、光學剝離法(Optical Ablation Method)

石墨稀(graphene)、高頻(high frequency)、軟性(flexible)

石墨烯(graphene)、蕭特基(Schoktty junction)、光偵測(photodetector)、ECR-CVD成長(ECR-CVD)

石墨烯(graphene)、電晶體(transistor)、電化學(Electrochemical Delamination)、轉印(transfer)、潔淨(Cleanliness)

石墨烯(graphene)、製長(growth)、原子級潔淨(atomic cleanness)、蝕刻(etching)

石墨烯(graphene)、單晶(single crystal)、拉曼(Ramam)、馬鞍點(saddle points)、凡霍夫奇異點(Van Hove singularlities)、旋轉堆疊雙層石墨烯(twisted bilayer graphene)

石墨烯(Graphene)、剝離法(Exfoliation)、逐層(Layer by layer)

石墨烯(Graphene)、高速電晶體(High speed transistor)、微波放大器(radio frequency transistor)、倍頻器(Doubler)