一次性寫入記憶體(One-Time Programmable)、自動對準通孔(Self-Aligned Via)、多階儲存(Multi-Level Cell)、高電組通孔(high resistance via)

非揮發性記憶體(NVM)、三維電阻式記憶體(3D RRAM)、自整流(Self-rectifying)、後端銅製程(Cu BEOL Process)、交差點陣列(Cross-bar Arrays)、高密度(High-Density)

電子束微影(E-beam Lithography)、電壓耦合(Coupled Voltage)、浮動閘極(Floating Gate)、鰭式電晶體(FinFET)

無線傳輸(Wireless communication)、靈敏度(Sensitivity)、紫外光源(Ultraviolet sources)、晶圓上天線(On-chip antennas)、半導體技術(Semiconductor technology)、邏輯互補式金氧半場效電晶體(Logic CMOS)

無線氣體感測器(wireles gas sensor)、自我收斂校正電路(Self-convergent)、奈米製程(Nano-scale CMOS process)、二維材料(Two-Dimensional materials)、浮動閘極耦荷(floating-gate coupling)

二硫化鎢(Tungsten Disulfide)、化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition)、成長機制(Growth Mechanism)

大面積轉移(large-scale transfer)、凡德瓦接觸(vdW contact)、通道區域選擇性轉移(channel region selective transfer)

可靠度(Reliability)、半導體(Semiconductor)、後段製程(Back end of line)、低介電質(Low-k dielectric)、電流(Current)、電容(Capacitance)、多晶矽(Polysilicon)、電阻(Resistance)、銅(Cu)

電阻式記憶體(RRAM)、非揮發式記憶體(NVM)

極紫外光(EUV)、無線感測模組(Wireless Sensing Module)

電子束(e-beam)、感測器(detector)、浮動閘極(floating-gate)、邏輯製程(CMOS)

MIM電容器(MIM Capacitor)、可靠度(Reliability)、時間相依介電崩潰(TDDB)、韋伯機率密度函数(Weibull Probability Density Function)、漏電電流模擬(Leakage Current Simulation)

極紫外光(Extreme Ultraviolet)、微感測器陣列(Micro-Detectors Array)

光感測元件(light detector)、浮動閘極(floating gate)

電漿感應充電效應(Plasma Induced Charging Effect)、浮動閘極(Floating Gate)、鰭式電晶體(FinFET)、天線效應(Antenna Effect)

一次性記憶體(One-Time-Programmable Memory)、金屬熔絲(Metal-Fuse)

物理不可複製函數(Physical Unclonable Function)、互補元件(Complementary Cell)

電漿充電效應(FinFET)、前段製程(PID)、偵測器(FEOL)

非揮發記憶體(non-volatile memory)、邏輯相容非揮發記憶體(logic compatible non-volatile memory)、鰭式場效電晶體(FinFET)、浮動閘極記憶體(Floating gate memory)、可多次寫入記憶體(Multiple-time programmable memory)、自我修復(self-boosting)

物理不可複製函數(Physical Unclonable Function)、硬體安全(Hardware Security)、閘極氧化層崩潰(Gate Oxide Breakdown)、互補元件物理不可複製函數(Complementary PUF)、自我抑制物理不可複製函數(Self-Inhibit PUF)、蒙地卡羅模擬(Monte Carlo Simulation)

微影系統(Lithography system)、自我驅動(Self-powered)、無線感測(Wireless sensing)

二氧化氮氣體感測器(SnSe2-based NO2 gas detector)、室溫環境量測(room temperature measurement)、浮動閘極元件(floating-gate field-effect transistor)、叉指狀電容耦合架構(metal interconnect wiring structures)、高靈敏度(high sensitivity)、可調控之感測區間(adjustable dynamic range)、多重氣體感測(multiple gas detection)

高介電閘極製程(High-K metal gate)、可多次寫入記憶體(Multiple-Time-Programming)、浮動閘極(Floating Gate)

鐵電(Ferroelectric)、記憶體(memory)、氧化鋯鉿(HfZrOx)、可靠度(Reliability)、工程(Engineering)

電阻式隨機存取記憶體(Resistive random access memor)、變異性(Variability)、蒙地卡羅模擬(Monte Carlo simulation)

離子(ion)、感測器(sensor)、鰭式場效電晶體(FinFET)、耦合(coupling ratio)、靈敏度(sensitivity)、氧化鋁(calix[4]arene)、懸浮鍵(undefined)

物理不可複製函數(physical unclonable function)、自我對準氮化矽元件(self-aligned nitride)、隨機電報雜訊(random telegraph noise)、靜態隨機存取記憶體(SRAM)

快閃記憶體(Flash Memory)、雜訊(NAND Flash)、隨機電報雜訊(Memory Cell)

胞間空隙(Airgap)、干擾度(Interference)、可靠度(Reliability)、耐久度(Endurance)

NAND型快閃記憶體(NAND Flash)、干擾效應(Disturbance)、耐久度(Endurance)、可靠度(Reliability)、循環效應(Cycling Effect)

離子感測器(ion sensor)、浮動閘極離子感測器(ISFGFET)、讀取電路(Readout circuit)、鰭式電晶體(FinFET)

BCD製程(BCD)、可多次寫入記憶體(MTP)、井耦合(well-couple)、嵌入式記憶體(embedded-memory)

近紅外光感測器(NIR)、CMOS邏輯製程相容(CMOS)、通道能障(Energy Band)

一次性寫入記憶體(OTP)、非揮發性記憶體(NVM)、嵌入式記憶體(embedded memory)、鰭式電晶體(FinFET)

鰭式場效電晶體(FinFET)、電阻式隨機存取記憶體(RRAM)、非揮發性記憶體(Non-volatile memory)

非揮發性(Non-Volatile)、邏輯閘(Logic)、鰭式場效電晶體(Gates)

電阻式記憶體(Resistive Random Access Memory)、邏輯嵌入式記憶體(FinFET Logic Compatible)

差動式結構(Differential Structure)、電阻式記憶體(Resistive Random Access Memory)、接觸點電阻式記憶體(Contact Resistive Random Access Memory)、非揮發性記憶體(Nonvolatile Memory)

三維NAND快閃記憶體(3D NAND FLASH)、記憶體干擾現象(Program Disturb)、類神經網路(Neural Network)

天線效應(Antenna Effect)、電漿充電損害(Plasma Induced Damage)、鰭式場效電晶體(FinFET)

寄生電阻(parasitic resistance)、寄生電容(parasitic capacitance)、靜態隨機存取儲存器(SRAM)

鰭式場效電晶體(FinFET)、多次寫入記憶體(multiple-time-programming memory)、浮動閘極元件(floating gate)

無閘極(Gateless)、類比記憶體(Analog Memory)

半導體記憶體(Semiconductor Memory)、靜態隨機存取記憶體(SRAM)、電阻式記憶體(RRAM)、邏輯相容(Logic Compatible)

三維結構(3D structure)、快閃記憶體(Flash memory)、半導體技術(Semiconductor technology)、薄膜電晶體(TFT transistor)、電荷儲存元件(Charge-trapping device)

三維積體訊號傳輸(Three Dimensional Transmission System)、磁感應無線傳輸(Magnetic Wireless Transmission)、線圈應用(Micro-Coil Application)、磁性穿隧介面(Magnetic Tunneling Junction)

電阻式記憶體(RRAM)、淺溝槽絕緣(Shallow Trench Isolation)

高壓元件(High Voltage Device)、汲極延伸鰭式場效電晶體(Drain Extended FinFETs)

鰭式電晶體(FinFET)、寄生電容(parasitic capacitance)、電容量測(capacitance measurement)

電阻式記憶體(RRAM)、鰭式場效電晶體(FinFET)、亂數隨機訊號(RTN)、非揮發性記憶體(NVM)、電阻轉換模型(Model)

快閃記憶體(NAND flash)、反捕陷(detrapping)、耐久度(endurance)、延遲(delay)、溫度(temperature)

鰭式電晶體(FinFET)、電容萃取(Parasitic capacitance)、電容特性(capacitance extraction)

電阻式記憶體、陣列、接觸點

邏輯製程非揮發性記憶體(logic NVM)、電阻式記憶體(RRAM)、1T1R(1T1R)

二極體(diode)、電場增強(Field enhancement)、尖角結構(tip structure)、嵌入式記憶體(embedded flash process)、可靠度(Reliability)

環境光感測器(ambient light sensor)、低功率感測器(low power sensor)、CMOS影像感測器(CMOS image sensor)、電流鏡(current mirror)、漸進式逼近占存器(successive approximation ADC)、電流模式感應器(current mode sensor)

高壓金氧半場效應電晶體、浮空場板、CMOS邏輯製程

感測器、自我校準、類比記憶體

功率元件(28nm high-k metal gate)

雙極性電晶體(BJT)、電阻式記憶體(RRAM)

磁感應、無線傳輸技術、三維積體電路

新型邏輯相容水平導通電橋記憶體(A New Lateral Conductive Bridge Random Access Memory by Fully CMOS Logic Compatible Process)

溫度感測器(Temperature Sensor)、接觸點記憶元件(Contact Resistive Random Access Memory)、隨機電報雜訊(Random Telegraph Noise)