過渡金屬二硫屬化物(transition metal dichalcogenide)、二硫化鉬(molybdenum disulfide)、場效應電晶體(field-effect transistor)、脈衝鐳射(pulse laser annealing)、接觸電阻(contact resistance)、鹼金屬氟化物封端(alkali fluoride capping)、摻雜(doping)

電漿輔助(plasma assisted)、離相分解(spinodal decomposition)、過渡金屬硫屬化物(TMDCs)、氣體感測(gas sensing)、產氫反應(HER)、異質結構(heterostructures)

電漿輔助(PACVR)、硒化(selenazation)、四吋晶圓(4-inch wafer)、提高產量(productivity)、二維材料氣體感測器(2D material gas sensor)

電阻式隨機存取記憶體(resistive random access memory)、導電絲(conducting filament)

電阻式記憶體(RRAM)、導電絲控制(Filament confinement)、薄膜組成(Film composition)、界面工程(Interfacial engineering)、摻雜(Doping)、元件結構(device architecture)

電漿輔助化學氣相反應(plasma assisted chemical vapor reaction)、生長氣氛調節(growth atmosphere modification)、氮摻雜MoSe2薄膜(nitrogen-doped MoSe2 film)、可調選擇性(adjustable selectivity)、摻氧 SnSe2 薄膜(oxygen-incorporated SnSe2 film)、濕度穩定性(humidity stability)

二維材料(2D materials)、過渡金屬硫化物(Transition metal disulfides)、量子點(Quantum dots)、氣體感測器(Gas sensor)、光感測器(Photodetector)、電阻式記憶體(RRAM)

二維材料(Extreme ultraviolet lithography)、極紫外光(Extreme ultraviolet (EUV))、極紫外光微影(Transition metal dichalcogenides)、同步輻射(2-dimensional materials)、過渡金屬二硫族化物(Synchrotron radiation)

雙面結構MoSSe(Janus MoSSe)、鐵電薄膜(HZO Ferroelectric Thin Films)

二硫化鎢(Tungsten Disulfide)、化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition)、成長機制(Growth Mechanism)

反鈣鈦礦結構(lithium rich antiperovskite)、複合電解質(composite solid electrolyte)、全固態鋰金屬電池(all-solid-state lithium metal battery)

六⽅氮化硼(Hexagonal Boron Nitride)、六⽅氮化硼(Charges Manipulation)、熱⼒學(Dielectric Behavior)

大面積轉移(large-scale transfer)、凡德瓦接觸(vdW contact)、通道區域選擇性轉移(channel region selective transfer)

氣體感測器(gas-sensor)、室溫量測(room-temperature-measurement)、無線偵測(wireless-detection)、多元氣體感測(multiple-gas-detection)

鋅碘電池(zinc-iodine battery)、深共熔溶劑(deep eutectic solvents)、高分子聚苯胺(polyaniline)

溶解/沉積鋅錳電池(Dissolution/Deposition Zn-MnO2 battery)、改質碳材(modified carbon materials)、鹽包水電解質(Water-in-Salt Electrolyte)

酞菁銅(Copper(II) Phthalocyanine)、二硒化錫(Tin Diselenide)、雙層結構(Formaldehyde)、甲醛(Gas Sensor)、氣體感測器(Hybrid-layers)、選擇性(Selectivity)

鋁離子電池(aluminum ion batteries)、正極材料(cathode materials)、轉化型電極(conversion-type electrodes)、三維結構(three-dimensional structure)、深共晶電解液(deep eutectic solvents)、多碘化物錨定(polyiodide anchoring)

二維材料(2D materials)、電晶體(transistors)、單晶片式(monolithic)、三維積體電路(3DIC)、邏輯閘(logic invetrer)、二硫化鉬(MoS2)、二硒化鎢(WSe2)

電阻式記憶體(RRAM)、共濺鍍系統(Co-sputtering)、無電鑄操作(Forming-free)、銅團簇(Cu-clusters)

鎳碘電池(nickel-iodine battery)、奈米多孔碳材(nano-porous carbon)、深共熔溶劑(deep eutectic solvents)

記憶體(Memory)、電漿輔助硒化(Plasma Assisted Chemical Vapor Reaction (PACVR))、二硒化鉬(MoSe2)、過度金屬二硫化物(Transition Metal Dichalcogenides (TMDCs))

碳化物衍生物(Carbide derived carbon)、石墨化(Graphitization)、熔融鹽(Molten salt process)、鋰離子電池(Lithium ion battery)

太陽能電池(solar cell)、回收(recycling)、再生(recovery)、薄膜(thin film)、銅銦鎵硒(CIGS)、鈣鈦礦(perovskite)

可撓式電晶體(flexible device)、矽化鎳(nickel silicide)、雷射(laser annealing)、低熱預算(low thermal budget)

銅鋅錫硒太陽能電池(CZTSe)、奈米棒(nanorods)、時域有限差分法模擬(FDTD simulations)

二硒化鉬(Molybdenum Diselenide)、氣體感測(Gas sensing)、電漿輔助硒化(PACVR)

電漿輔助硒化(Plasma-assisted Selenization)、二硒化錫(Tin diselenide)、高靈敏(Highly Sensitive)、室溫(Room temperature)、二氧化氮(Nitrogen Dioxide)、氣體感測器(Gas sensor)

二硫化鉬(MoS2)、電晶體(transistor)、平整性(wrinkle-less)、轉移(transfer)、二維材料(2D)、化學氣象沉積(CVD)

甘蔗碳黑(sugarcane carbon black)、熔鹽電化學(molten salt electrolysis)、石墨化(graphitization)、氮摻雜(nitrogen doping)、鈉離子電池(sodium ion battery)

二硫化鉬(MoS2)、氮化鉬(MoN)、多硫化物(Polysulfide)、陰極液(Catholyte)、鈉硫電池(Na-S batteries)、電催化劑(Electrocatalyst)

硒化錫(Tin-Selenide)、碲化銅(Copper-Telluride)、鈉離子電池(Sodiumionbattery)、雷射轉移(Laser-Transfer)

二硒化鉬(MoSe2 RRAM)、電阻式記憶體(TMDCs)、相變化(1T/2H phase change)、類神經元件(Cu intercalation)、銅嵌入(synapse mimicking device)、低溫電漿硒化(plasma-assisted selenization)

離子(ion)、感測器(sensor)、鰭式場效電晶體(FinFET)、耦合(coupling ratio)、靈敏度(sensitivity)、氧化鋁(calix[4]arene)、懸浮鍵(undefined)

廢輪胎(Waste Tire)、電化學石墨化(Electrochemical Graphitization)、氧化鐵催化(Iron Oxide Catalyst)、鋰離子電池(Lithium Ion Battery)、矽負極(Silicon Anode)

電阻式記憶體(resistive memory)、憶阻器(memristor)、介面工程(interfacial engineering)、缺陷工程(defect engineering)

化學電解金屬化記憶體(Nano-Structure)、奈米結構擴散阻障層(Diffusion)、材料選擇(CBRAM)、擴散控制(ECM)

碲化銅奈米片(Copper Telluride Nanoplates)、鈉離子電池(Sodium-ion Battery)、高倍率(High-Rate)

可撓式光感測器(Flexible photo-detector)、奈米材料整合(nano-material integration)、1T1R(1T1R)、訊號放大器(Signal amplifier)

深共熔溶劑(deep eutectic solvent)、鋅離子電池(zinc ion battery)、釩酸鈉(sodium vanadate)

谷電子學(Valleytronics)、多位元(photodetector)、光電元件(multidigit)、硫化錫(undefined)

二硒化鉑(PtSe2)、過度金屬硒硫化物(TMDCs)、電晶體(Transistor)、光感測器(Photodetector)、氣體感測器(Gas sensor)、熱電材料(Thermoelectric)

銅銦鎵硒光伏元件(CIGS photovoltaics)、黃銅礦光伏元件(chalcopyrite photovoltaics)、界面鈍化(interface passivation)、階層式奈米結構(hierarchical nanostructures)

噴墨印刷技術(ink-jet print)

陽極氧化鋁(Anodic aluminum oxide)、類光芬頓反應(Photo-Fenton like reaction)、半導體奈米柱陣列(semiconductor nanorod array)、電鍍(template-assisted electrodeposition)、染料光降解(dye photo-degradation)

稻殼(rice-husk)、鋰電池(lithium-ion-battery)、矽負極(silicon-anode)、電化學還原(electrochemical-reduction)

核殼結構(Core-shell structure)、相變化材料(Phase change material)、熱儲存(Thermal storage)、熱遲滯(Thermal hysteresis)

薄膜太陽能電池(Light Soaking Effect)、化學水浴法(Chemical Bath Deposition)、光浸潤效應(Thin Film Solar Cells)、銅銦鎵硒硫(Cu(In,Ga)(S,Se)2)、氧化(Zn(O,S) Buffer layer)、硫化鋅薄膜緩衝層(undefined)

多孔矽(porous silicon)、蝕刻(etching)、電化學蝕刻(electrochemical etching)、氣體感測(gas seneor)

產氫反應(Hydrogen Evolution Reaction)、水分解反應(Water Splitting)、電催化劑(Electrocatalysts)、過渡金屬(Transition Metals)、過渡金屬硫化物(TMD)、過渡金屬磷化物(TMP)

大氣硒化(Atmospheric selenization)、銅銦鎵硒(CIGS solar cell)、太陽能電池(undefined)

熱遲滯(Thermal hysteresis)、儲熱材料(Thermal storage)、相變化材料(Phase change material)、潛熱(Latent heat)、核殼結構(Core-shell structure)

二硒化鎢(WSe2)、電漿輔助(Plasma-assisted)、過渡金屬硫族化合物(TMDC)、氣體感測器(Gas sensor)、斜角蒸鍍(GLAD)

氧化鋅(Zinc oxide)、硒化鋅(Zinc selenide)、銀奈米線(Silver nanowire)、異質結構(Heterostructure)、光感測器(Photodetector)、奈米線(Nanowire)

硒(selenium)、可撓式光電探測器(flexible photodetector)、電漿輔助沉積(plasma assisted deposition)

奈米銀線(silver nanowire)、太陽能電池(solar cell)、有機發光二極體(organic light-emitting diode)、透明導電電極(transparent conducting electrode)、可撓式導電薄膜(flexible transparent electrode)、複合式透明導電薄膜(flexible optoelectronics)

太陽熱能(Solar thermal energy)、儲熱(Heat storage)、相變化材料(Phase change materials)、核殼結構微米粒子(Core-shell microparticles)、潛熱(Latent heat)、過冷度(Supercooling)

微波輔助(microwave assisted)、還原氧化石墨烯(reduced graphene oxide)、二次鋰離子電池(secondary lithium ion battery)

氧化鎢(tungsten oxide)、二硒化鎢(tungsten diselenide)、後硒化(post-selenization)、低溫(low temperature)

鋰電池(Lithium Battery)、螺旋柱狀矽(Helix Silicon)、斜角蒸鍍法(Glancing Angle Deposition)、負極材料(Anode Material)、銅矽化合物(Copper Silicide)、體積比電容(Volumetric Capacity)

太陽能電池(solar cell)、銅銦鎵硒(CIGS)、透明導電層(transparent conducting layer)、銀奈米線(silver nanowires)

多孔矽(porous silicon)、鋰離子電池(lithium-ion battry)、超級電容器(supercapacitor)、石墨烯(graphene)

銅銦鎵硒(CIGS)、可撓式(Large scale)、大面積(transfer)

混合二硒化鎢 氧化鎢(hybrid WSe2 WO3)、電漿硒化(plasma selenization)、氣體感測(gas sensor)

雷射(laser)、石墨烯(graphene)、二維材料(two dimensional materials)、電晶體(transistor)、光感測元件(photo sensor)、過渡金屬二硫族化物(transition metal dichalcogenide)

太陽能電池(solar cell)

氮氧化鈦、電阻式記憶體

錫鋅合金(Tin-Zinc alloy)、氧化矽包覆奈米粒子(silica-coated particles)、潛熱(latent heat)、HITEC 熔鹽(HITEC salt)、太陽熱能(solar thermal energy)

電阻式記憶體、奈米線

銅銦鎵硒太陽能電池(plasmonic)、表面電漿效應(CIGS solar rcell)、金奈米粒子(Au nanoparticles)

石墨烯(Graphene)、四氧化三鐵(Iron Oxide)、鋰離子電池(Lithium-ion battery)

銅銦鎵硒(Cu(In, Ga)Se2)、微米陣列(microstructure arrays)、太陽能電池(solar cells)、模具輔助蝕刻(mold-assisted chemical etching process)

石墨烯、雷射

鎳/氧化鎳(Ni/NiO Core-Shell Nanowires)、電阻性記憶體(RRAM)

銅銦鎵硒、合金後硒化

氮化硼參雜(BN doping)、石墨烯(graphene)、化學氣相沉積(chemical vapor deposition)、拉曼光譜(Raman spectrum)、面內剛度(in plane stiffness)、應變規(strain sensor)

多孔矽(porous silicon)、金屬催化蝕刻(metal-assisted chemical etching)、海水淡化(desalination)、電雙層(electrical double layer)

高密度電漿化學氣相沉積、非晶矽鍺薄膜太陽能電池