氮化鎵發光二極體(GaNLED)、高電子遷移率電晶體(HEMTs)、多重量子井(Multiple Quantum Wells)、表面粗糙化(Surface Roughening)

高頻量測(LE-HEMT)、高切換速率(High frequency)、氮化鎵(GaN)、光高電子遷移率電晶體(High switching frequency)

4H 碳化矽(4H-SiC)、垂直型雙佈植金氧半場效電晶體(VDMOSFET)、溝槽式閘極金氧半場效電晶體(UMOSFET)、閘極氧化層(Gate Oxide)、可靠度(Reliability)

氮化鎵(GaN)、像素(Pixel)、高電子遷移率電晶體(HEMTs)、掘入式閘極(Recessed)、金屬氧化物半導體(MIS)

順向電壓(Forward Voltage)、特徵電阻(Ron,sp(Mean Value))、電導調製效應(Conductivity Modulation Effect)、少數載子萃取效應(Minority Carrier Extraction Effect)、崩潰電壓(Breakdown Voltage)、回彈(Snapback)、可靠度(Reliability)

超接面(Superjunction)、分離式閘極(Split-Gate)、溝槽式電晶體(UMOS)、矽(Si)、閘流體(Thyristor)、碳化矽(SiC)

碳化矽(SiC)、功率元件(Power Device)、垂直雙佈植金氧半場效電晶體元件(VDMOS)、接面能障肖特基二極體(JBS)、短路測試(Short Circuit Test)

4H 碳化矽(4H-SiC)、功率元件(Power device)、溝槽式閘極金氧半場效電晶體(UMOSFET)、異質接面(Heterojunction)、TCAD模擬(TCAD simulation)、動態導通電阻劣化(Dynamic Ron)、短路測試(Short circuit test)

4H 碳化矽(4H-SiC)、蕭基二極體(Schottky diode)、溝槽式金氧半場效電晶體(Trench MOSFET)、TCAD模擬(TCAD simulation)、功率元件強韌性模擬(Robustness of power device)

類比至數位轉換器(analog-to-digital converter)、快閃式(flash)、高速(high-speed)、偏差(offsets)、校正(calibration)

碳化矽(4H-SiC)、溝槽式金氧半能障蕭基二極體(TMBS)、特徵導通電阻(Specific On Resistance)、崩潰電壓(Breakdown Voltage)、反向恢復電荷(Reverse Recovery Charge)、突波電流(Surge Current)

氮化鎵(GaN)、發光高電子遷移率電晶體(Light-Emitting HEMT)、氮化鋁鎵/氮化鎵(AlGaN/GaN)、高電子遷移率電晶體(HEMT)

氮化鎵(Gallium Nitride)、氧化銦錫(Indium-Tin-Oxide)、全透明元件(fully-transparent device)、高電子遷移率電晶體(high electron mobility transistor)、歐姆掘入(ohmic recess)

碳化矽(SiC)、功率元件(Power device)、溝槽元件(Trenched device)、模擬分析(Simulation analysis)

碳化矽(SiC)、功率元件(Power Device)、閘流體(Thyristor)、雙載子元件(Bipolar Device)

碳化矽(SiC)、低壓元件(Low-Voltage)、溝槽式金氧半場效電晶體(UMOS)、切換測試(switching-test)、反向恢復特性(recovery)

碳化矽(4H-SiC)、降低表面電場(RESURF)、橫向擴散金氧半場效電晶體(LDMOS)、多閘極(tri-gate)

P型氮化鎵(GaN)、高電子遷移率電晶體(AlGaN)、氧化銦錫(HEMT)、氮化鈦(ITO)

氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體(p-drain)、動態導通電阻特性(HEMT)、P型氮化鎵(dynamic-ron)

高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistor)、量子井(Quantum Well)、電子阻擋層(Electron Blocking Layer)

矽離子佈植(Silicon Implantation)、氮化鎵(GaN)、退火(Annealing)、高電子遷移率電晶體(HEMT)、全透明(Fully Transparent)

碳化矽(SiC)、功率元件(Power device)、垂直元件(Vertical device)、溝槽元件(Trenched device)、直流特性(DC property)

氮化鎵(Gallium Nitride)、高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistor)、氧化銦錫(Indium-Tin-Oxide)、p型氮化鎵(p-GaN)

三閘極金氧半場效電晶體(BTI)、碳化矽(Tri-gate)、氧化後退火(4H-SiC)、可靠度(NO-anneling)

閘級驅動電路(Gate Driver on Array)、無電容(Capacitorless)、假級(Carrying stage)、雙低電壓源(Dual low voltage sources)

4H-SiC(4H-SiC)、溝槽式閘極金氧半場效電晶體(Trench Gate MOSFET)、模擬分析(Simulation Analysis)、場效電晶體(MOSFET)

氮化鎵(GaN)、乾蝕刻(ICP etching)、光輔助濕蝕刻(PEC etching)、垂直型簫基二極體及金氧半電晶體(GaN-based -vertical SBD and MOSFET)

氧電漿(Oxygen plasma)、P型氮化鎵閘極(P-type GaN gate)、高電子遷移率電晶體(HEMT)

氮化鋁鎵/氮化鎵(AlGaN/GaN)、高電子遷移率電晶體(HEMT)、發光高電子遷移率電晶體(LE-HEMT)、氧電漿處理法(InGaN)、氮化銦鎵(Oxygen)、量子井(undefined)

碳化矽(SiC)、橫向擴散金氧半場電晶體(LDMOS)、量測與分析(RESURF)

碳化矽二極體(4H-SiC)、高崩潰電壓(TMBS)、接面終結延伸(VDMOS)

碳化矽(4H-SiC)、閘極氧化層(GateOxide)、可靠度(Reliability)

全隔離橫向擴散金氧半場效電晶體(Fully Isolated LDMOS)、降低表面電場(Dielectric RESURF)、崩潰電壓(Breakdown Voltage)、安全操作區(Safe operation area)、熱載子可靠度(Hot carrier reliability)

碳化矽(SiC)、邏輯元件(Logic device)、邏輯電路(Logic circuit)、電壓轉換器(Level shifter)

分散式發電應用(Distributed generation applications)、介電質調制(dielectric modulation)、超接面(superjunction)、切換損失(switching loss)、中性點鉗位轉換器(neutral-point clamped (NPC))、脈衝寬度調變(pulse-width modulation (PWM))、功率損失分佈(power loss distribution)、中性點電壓(neutral-point voltage)、垂降控制(droop control)、功率分配(power sharing)、通訊網路(communication network)、共識定理(consensus theorem)

碳化矽(SiC)、金氧半場效電晶體(MOSFETs)、矽離子佈植(Si-implantation)、接面延伸終結(JTE)、伽瑪射線(Gamma-ray)、互補式金屬氧化物半導體(CMOS)

碳化矽(SiC)、邏輯電路(CMOS inverter)、互補式金氧半電晶體(D-mode inverter)、空乏式金氧半電晶體(DMOS)

氮化鎵(Gallium Nitride)、氧化銦錫(indium tin oxide)、透明元件(transparent device)、高電子遷移率電晶體(high electron mobility transistor)

氮化鎵(GaN)、氮化銦鎵(InGaN)、量子井(SQW)、發光高電子遷移率電晶體(LE-HEMT)、增強型(E-mode)

橫向擴散金氧半場效電晶體(LDMOS)、上橋應用(High side application)、安全操作區(electrical SOA)、熱載子可靠度(Hot carrier reliability)

氮化鎵(GaN)、高電子遷移率電晶體(HEMT)、氧化銦錫(ITO)

4H碳化矽(4H-SiC)、橫向金氧半場效電晶體(LDMOS)、可靠度(Reliability)、電荷汲引(Charge pumping)、熱載子效應(Hot carrier effect)

碳化矽(SiC)、通道遷移率(Channel Mobility)、閘極氧化層(Gate Oxide)、可靠度(Reliability)

碳化矽(SiC)、輻射效應(Radiation effects)、功率元件(Power device)

碳化矽(SiC)、雙載子元件(Bipolar device)、閘流體(Thyristor)

碳化矽(SiC)、氧化製程(RESURF)、場平板(NO annealing)

氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化鎵(GaN)、高電子遷移率電晶體(HEMTs)

碳化矽(SiC)、橫向型元件(silicon carbide)、高電壓元件(lateral device)、高崩潰電壓(high breakdown voltage)、深溝槽隔離(deep trench isolation)

垂直型(Vertical)、超接面(Superjunction)、功率金氧半場效電晶體(Power MOSFET)

P型氮化鎵(p-GaN)、高電子遷移率電晶體(HEMT)、氧化銦錫(ITO)、自我對準(Self-aligned)、增強型(E-mode)

碳化矽(SiC)、金氧半場效電晶體(MOSFET)、雙脈衝測試(Double pulse test)、TCAD(TCAD)、不均勻電流(Current imbalanced)、1200V(1200V)、寄生電感(parasitic inductance)

氮化鎵(GaN)、表面處理(Surface Treatment)

碳化矽(sic)、矽離子佈植(si-implanted)、金氧半場效電晶體(MOSFET)、退火(anneal)

氮化鎵(GaN)、高電子遷移率電晶體(HEMT)、穿隧接面(tunneling junction)、分子束磊晶(MBE)

分子束磊晶(Molecular Beam Epitaxy)、穿隧接面(Tunnel Junction)

輻射(radiation)、碳化矽元件(4H-SiC devices)、中子輻射(neutron radiation)、伽瑪射線(gamma ray)

降低表面電場(DielectricRESURF)、高介電係數絕緣材料(High-K)、高電壓(High-Voltage)、鰭式電晶體(FinFET)

超接面場效電晶體(Superjunction MOSFET)、未箝制電感切換(UIS)、電荷不平衡(Charge Imbalance)

碳化矽(4H-SiC)、氧化製程(ThermalOxidation)、電子遷移率(ChannelMobility)、離子佈植(Implantation)

氮化鎵(GaN)、電晶體(MOSFET)、介面缺陷(Interface-trap)、表面處理(Surface-treatment)

3.3kV(3.3kV)、碳化矽(Silicon Carbide)、垂直型金氧半場效電晶體(DMOSFET)、未箝制電感切換模擬(Unclamped Inductive Switching Simulation)

氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、高電子移動速度電晶體(HEMT)

高壓(High-voltage)、鰭式電晶體(FinFET)、降低表面效應(RESURF)、介電係數調變(Dielectric RESURF)

氮化鎵(GaN)、準垂直(Quasi-Vertical)、金氧半場效電晶體(MOSFET)

氮化鎵/氮化鋁鎵(AlGaN/GaN)、穩定性(instability)、矽基板(siliconsubstrate)

4H-碳化矽(4H-SiC)、鍺(Ge)、離子佈植(ion-implantation)、通道遷移率(Mobility)

碳化矽(4H-SiC)、功率元件(power device)、正-本-負二極體(PiN diode)、邊緣終結保護結構(edge termination)、高電壓(high volatge)

碳化矽(SiC)、電荷汲引技術(charge pumping)

碳化矽(4H-SiC)、垂直型金氧半場效電晶體(double-implanted metal-oxide-semiconductor field effect transistor)、雙自我對準(double self-aligned)

蕭基二極體(Schottky Barrier Diode)、垂直電極結構(Vertical contact electrode)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)

橫向擴散金氧半場效電晶體(LDMOS)、熱載子(Hot-Carrier)、電荷汲引(Charge Pumping)、可靠度(Reliability)

氮化鎵(GaN)、場效電晶體(FET)、閘極(gate)、掘入式(recess)、水平式(planar)

氮化鎵、垂直型、溝槽式閘極、金氧半場效電晶體

高電子遷移率電晶體(HEMT)、發光二極體(LED)、氮化鋁鎵/氮化鎵(AlGaN/GaN)、發光波長調變(wavelength modulation)、二維電子氣通道(2DEG)

碳化矽(4H-SiC)、功率元件(Power device)、蕭基能障(Schottky barrier height)

氮化鎵、功率元件、蕭基二極體

氮化鎵(GaN)、金氧半高電子遷移率電晶體(HEMT)、增強型元件(E-mode)、電導法(conductance method)

氮化鎵、氮化鋁鎵、高電子遷移率電晶體、發光二極體

功率元件(power device)、邊緣終結保護結構(edge termination)、碳化矽(SiC)、二極體(Diode)

絕緣閘極雙極性電晶體(Insulated gate bipolar transistor (IGBT))、主動式閘極驅動(active gate drive)、二階段式驅動(two-level driver)、反向回復電流(reverse recovery current)、切換功率耗損(switching loss)

4H碳化矽、垂直型金氧半場效電晶體、離子佈植遮罩、自我對準

氮化鎵、PiN二極體

氮化鎵(GaN)、金氧半高電子遷移率電晶體(MOS-HEMT)

碳化矽、電容、金氧半場效電晶體、三氯氧磷退火

氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵/氮化鎵(AlGaN/GaN)、P型氮化鎵(p-GaN)、增強型(enhancement-mode)

碳化矽、雙載子

氮化鎵(GaN)、增強型(enhancement mode)、金氧半(MOS)、高電子遷移率(HEMT)、掘入式(recess)